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Vishay 推出兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級(jí)MOSFET，是目前市場(chǎng)上尺寸最小的此類(lèi)器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片級(jí)器件中具有最低的導(dǎo)通電阻。 Vishay的TrenchFET Gen III p溝道MOSFET使用了先進(jìn)的加工工藝，在每平方英寸的硅片內(nèi)裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最前沿的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，把目前業(yè)內(nèi)最好的p溝道MOSFET所能達(dá)到的導(dǎo)通電阻降低了近一半。芯片級(jí)的MICRO FOOT技術(shù)不但能節(jié)省空間，實(shí)現(xiàn)更小、更薄的終端產(chǎn)品，而且能夠在給定的外形內(nèi)使用更大的硅片。 Si8497DB和Si8487DB可在智能手機(jī)、平板電腦、銷(xiāo)售點(diǎn)(POS)設(shè)備和移動(dòng)計(jì)算等手持設(shè)備中用于負(fù)載、電池和充電器的切換。在筆記本電腦的電池管理電路中，MOSFET的低導(dǎo)通電阻能夠在負(fù)載開(kāi)關(guān)上實(shí)現(xiàn)更低的電壓降，從而減少欠壓鎖定問(wèn)題的發(fā)生。在平板電腦、智能手機(jī)和銷(xiāo)售點(diǎn)設(shè)備的充電器中，低導(dǎo)通電阻意味著可以使用更大的充電電流，使電池充電的速度更快。 對(duì)于設(shè)計(jì)者，Si8487DB和Si8497DB為他們提供了滿足其特定應(yīng)用需求的外形尺寸和導(dǎo)通電阻。對(duì)于小占用空間能夠帶來(lái)產(chǎn)品增值的場(chǎng)合，1.5mm x 1mm的Si8497DB同時(shí)具有0.59mm的最大高度，以及4.5V、2.5V和2.0V下53mΩ、71mΩ和120mΩ的低導(dǎo)通電阻。對(duì)于低導(dǎo)通電阻是重要考慮因素的應(yīng)用，Si8487DB能在10V、4.5V和2.5V下提供31mΩ、35mΩ和45mΩ的低導(dǎo)通電阻，0.6mm的最大高度，以及此類(lèi)p溝道功率MOSFET中最低的導(dǎo)通電阻值。 
器件符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。Si8487DB與Vishay的30V Si8409DB保持引腳兼容。 新的Si8487DB和Si8497DB TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周。 |
