【供求 MOSFET 晶體管】C3M0045065L，C3M0060065L，IAUC60N04S6N050H，NVMFS5C410NWFAFT1G

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明佳達電子，星際金華【供應】【回收】原裝庫存器件：【MOSFET 晶體管】C3M0045065L，C3M0060065L，IAUC60N04S6N050H，NVMFS5C410NWFAFT1G，有興趣的朋友，歡迎隨時聯絡我們！

C3M0045065L：650V 分立式 SiC MOSFET 晶體管
型號：C3M0045065L
封裝：TOLL
類型：碳化硅MOSFET 晶體管
一、描述：
C3M0045065L 是650V、45mΩ、49A 分立式碳化硅MOSFET 晶體管，采用TOLL 封裝。該器件是高性能工業電源、服務器/電信電源、電動汽車充電系統、儲能系統、不間斷電源和電池管理系統等應用的理想之選。
二、產品特征：
低導通電阻
低引線電感
低熱阻抗
超低反向恢復的快速二極管
高溫工作（TJ = 175°C）

C3M0060065L：650V、60mΩ、39A、TOLL 封裝、分立式碳化硅 MOSFET 晶體管
型號：C3M0060065L
封裝：TOLL
類型：碳化硅 MOSFET 晶體管
一、描述：
C3M0060065L 是采用TOLL 封裝的650V 分立式碳化硅 MOSFET 晶體管。該器件是高性能工業電源、服務器/電信電源、電動汽車充電系統、儲能系統、不間斷電源和電池管理系統等應用的理想之選。
二、產品特點：
低導通電阻
超低反向恢復的快速二極管
高溫工作（TJ = 175°C）
低引線電感
低熱阻抗
降低開關和傳導損耗，提高系統效率
實現高開關頻率操作
提高系統級功率密度
減小系統尺寸、重量和冷卻要求
支持新的硬開關拓撲結構（圖騰極 PFC）

IAUC60N04S6N050H：40V 2N-通道功率 MOSFET晶體管
型號：IAUC60N04S6N050H
封裝：TDSON-8
類型：MOSFET晶體管
一、產品屬性：
技術：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 個 N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）：40V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：60A（Tj）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 13µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：17nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1027pF @ 25V
功率 - 最大值：52W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應商器件封裝：PG-TDSON-8-57
二、產品特征：
半橋 - N通道 - 增強模式 - 正常電平
MSL1 峰值回流溫度高達 260°C
175°C 工作溫度
100% 雪崩測試
OptiMOS™ - 用于汽車應用的功率 MOSFET晶體管

NVMFS5C410NWFAFT1G：40V N通道 MOSFET 晶體管
型號：NVMFS5C410NWFAFT1G
封裝：DFN-5
類型：MOSFET 晶體管
一、描述：
NVMFS5C410NWFAFT1G 是40V N通道 MOSFET 晶體管，采用先進的功率溝槽工藝（結合屏蔽柵極技術）。該工藝經過優化，可最大限度地降低導通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關性能。
二、產品屬性：
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：46A（Ta），300A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.92 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），166W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝，可潤濕側翼
供應商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

深圳市明佳達電子，星際金華長期（供應及回收）原裝庫存器件：【MOSFET 晶體管】C3M0045065L，C3M0060065L，IAUC60N04S6N050H，NVMFS5C410NWFAFT1G。
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！