貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。
貿澤供貨的英飛凌CoolSiC G2 MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中樹立高質量標桿，并進一步利用英飛凌獨特的XT互聯技術來提高半導體芯片的性能和散熱能力（例如采用TO-263-7、TO-247-4分立封裝的型號）。CoolSiC G2 MOSFET 650V和1200V在不影響質量和可靠性的前提下，將MOSFET的關鍵性能（例如存儲能量和電荷）提高了20%，不僅提升了整體能效，還進一步推動了低碳化進程。G2的散熱能力提高了12%，并將CoolSiC的SiC性能提升到了一個新的水平。其快速開關能力可在所有工作模式下將功率損耗降低5%到30%（取決于負載條件），具有出色的節能效果。 CoolSiC G2的新一代SiC技術能夠加速設計成本更加優化，且更加緊湊、可靠、高效的系統，從而節省能源并減少現場每瓦功率的二氧化碳排放量。 欲了解更多信息，請訪問https://www.mouser.cn/new/infineon/infineon-coolsic-g2-mosfets。 |
