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近日，半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)SK海力士宣布了一項重要決定，該公司計劃在2024年內(nèi)先后為英偉達（NVIDIA）和AMD流片新一代高帶寬內(nèi)存（HBM4），這一消息迅速在行業(yè)內(nèi)引起了廣泛關(guān)注。隨著人工智能、深度學(xué)習(xí)等高性能計算需求的不斷增加，HBM4內(nèi)存技術(shù)的突破將極大提升計算設(shè)備的性能，為市場帶來前所未有的變革。 SK海力士此次推出的HBM4內(nèi)存，將采用經(jīng)過驗證的1bnm DRAM裸片，確保了其穩(wěn)定性和可靠性。與前代產(chǎn)品相比，HBM4的設(shè)計主打高性能與低能耗，使其在高端計算、圖像處理及游戲等應(yīng)用場景中具有明顯的優(yōu)勢。這一新型內(nèi)存解決方案不僅將大幅提升數(shù)據(jù)傳輸速率，還在熱管理方面表現(xiàn)更加優(yōu)異，為消費者帶來更加流暢的游戲體驗和更高的圖形質(zhì)量。 據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)為英偉達和AMD這兩大重要客戶成立了專門的HBM4內(nèi)存開發(fā)團隊，確保新產(chǎn)品能夠及時推出并達到預(yù)期性能。英偉達預(yù)計將在今年10月開始HBM4的流片工作，而AMD的版本則預(yù)計將在年底前完成。這一時間表顯示了市場對高性能計算需求的迫切程度，也體現(xiàn)了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力。 在技術(shù)層面，SK海力士將與臺積電緊密合作，采用先進的N12FFC+與N5工藝。這種新型制造工藝不僅提高了內(nèi)存的傳輸速率，還進一步增強了其穩(wěn)定性和可靠性。此外，SK海力士的HBM4內(nèi)存還將通過堆疊方式提升帶寬和性能，以滿足人工智能和深度學(xué)習(xí)等高性能計算領(lǐng)域的需求。 特別值得一提的是，英偉達計劃在2026年推出的后Blackwell世代高性能AIGPU“Rubin”將大量采用12層堆疊的HBM4內(nèi)存。這一技術(shù)的應(yīng)用將進一步推動人工智能和圖形處理性能的極限，為英偉達在市場競爭中占據(jù)有利位置提供堅實的技術(shù)支持。 SK海力士在HBM領(lǐng)域的這一舉措，不僅將鞏固其在全球市場的領(lǐng)先地位，還將對整個半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠影響。隨著HBM4內(nèi)存的投產(chǎn)，英偉達和AMD等科技巨頭將能夠推出更加先進的高性能計算設(shè)備，滿足市場對于高性能計算、人工智能和深度學(xué)習(xí)等領(lǐng)域的不斷增長需求。 此外，SK海力士的競爭對手三星電子也在積極謀劃推出自己的HBM4內(nèi)存產(chǎn)品，這使得市場競爭變得更加激烈。 |
