IPT025N15NM6【OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶體管】IPTC025N15NM6

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IPT025N15NM6（MOSFET 晶體管）：150V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶體管 ，PG-HSOF-8
型號：IPT025N15NM6
封裝：PG-HSOF-8
類型：N通道功率 MOSFET 晶體管
IPT025N15NM6 - 產品規格：
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：150 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：26A（Ta），263A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.4 毫歐 @ 120A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 275µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：137 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9800 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-HSOF-8-1
封裝/外殼：8-PowerSFN

IPTC025N15NM6：150V OptiMOS™ 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管，PG-HDSOP-16
型號：IPTC025N15NM6
封裝：PG-HDSOP-16
類型：功率 MOSFET 晶體管
IPTC025N15NM6 - 產品規格：
系列：OptiMOS™ 6
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：150 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：26A（Ta），264A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.4 毫歐 @ 120A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 275µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：137 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9800 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-HDSOP-16-2
封裝/外殼：16-PowerSOP 模塊

明佳達電子，星際金華【供應，回收】IPT025N15NM6（OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶體管）IPTC025N15NM6。
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