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[供應(yīng)] MOSFET晶體管IPC100N04S5L-1R5——STM8S105K4T6C(微控制器MCU)LPC1765FBD100

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發(fā)表于 2025-4-2 11:44:34 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
【供應(yīng),回收】IPC100N04S5L-1R5汽車(chē)MOSFET晶體管——STM8S105K4T6C(微控制器MCU)LPC1765FBD100,明佳達(dá)(星際金華)長(zhǎng)期供求原裝庫(kù)存器件,有興趣的朋友,歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們!

一、IPC100N04S5L-1R5:40V,OptiMOS™-5 汽車(chē)MOSFET晶體管,PG-TDSON-8
型號(hào):IPC100N04S5L-1R5
封裝:PG-TDSON-8
類(lèi)型:汽車(chē)MOSFET晶體管
IPC100N04S5L-1R5——產(chǎn)品屬性:
系列:OptiMOS™
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):100A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.5 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 60µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):95 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):5340 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):115W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8-34
封裝/外殼:8-PowerTDFN

二、STM8S105K4T6C:16MHz,8位微控制器IC,LQFP-32
型號(hào):STM8S105K4T6C
封裝:LQFP-32
類(lèi)型:8位微控制器IC
STM8S105K4T6C——產(chǎn)品屬性:
核心處理器:STM8
內(nèi)核規(guī)格:8 位
速度:16MHz
I/O 數(shù):25
程序存儲(chǔ)容量:16KB(16K x 8)
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存
EEPROM 容量:1K x 8
RAM 大小:2K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2.95V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 7x10b
振蕩器類(lèi)型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:32-LQFP

三、LPC1765FBD100:100MHz,32位單核 ARM® Cortex®-M3 微控制器IC,LQFP-100
型號(hào):LPC1765FBD100
封裝:LQFP-100
類(lèi)型:32位單核微控制器IC
LPC1765FBD100——產(chǎn)品屬性:
核心處理器:ARM® Cortex®-M3
內(nèi)核規(guī)格:32 位單核
速度:100MHz
I/O 數(shù):70
程序存儲(chǔ)容量:256KB(256K x 8)
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存
RAM 大小:64K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2.4V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x12b; D/A 1x10b
振蕩器類(lèi)型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:100-LQFP(14x14)

明佳達(dá)電子,星際金華(供應(yīng)及回收)原裝器件:IPC100N04S5L-1R5汽車(chē)MOSFET晶體管——STM8S105K4T6C(微控制器MCU)LPC1765FBD100,如有需求,歡迎聯(lián)絡(luò)我們!

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