[MOSFET] IPC100N04S5L-1R5 / WNSC2D20650CJ二極管 / TPS25200DRVR電子保險(xiǎn)絲

Mingjiada

深圳市明佳達(dá)電子，星際金華長(zhǎng)期供應(yīng)原裝庫(kù)存器件！
【原裝器件】IPC100N04S5L-1R5（MOSFET晶體管）、WNSC2D20650CJ二極管、TPS25200DRVR電子保險(xiǎn)絲。

【供應(yīng)】只做原裝，庫(kù)存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢問(wèn)為準(zhǔn)！

IPC100N04S5L-1R5：40V，OptiMOS™-5 汽車MOSFET晶體管，PG-TDSON-8

系列：OptiMOS™

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.5 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 60µA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：95 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：5340 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：115W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8-34

封裝/外殼：8-PowerTDFN

WNSC2D20650CJ：650V，雙碳化硅肖特基二極管，TO-3PF

概述：

WNSC2D20650CJ 是一款采用TO3PF 塑料封裝的 650V 雙碳化硅肖特基二極管，專為高頻開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。

規(guī)格參數(shù)：

二極管配置：1 對(duì)共陰極

技術(shù)：SiC（碳化硅）肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V

電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：20A

不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A

速度：無(wú)恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io）

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：0 ns

不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：50 µA @ 650 V

工作溫度 - 結(jié)：175°C

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-3PF

特性：

開(kāi)關(guān)性能高度穩(wěn)定

極快的反向恢復(fù)時(shí)間

效率優(yōu)于硅二極管替代品

降低相關(guān)MOSFET損耗

減少電磁干擾

降低散熱需求

絕緣封裝，額定值2500V RMS

TPS25200DRVR：60mΩ、0.085A 至 2.9A 電子保險(xiǎn)絲，WSON-6

2.5V 至 6.5V 工作電壓

輸入可耐受高達(dá) 20V 的電壓

7.6V 輸入過(guò)壓關(guān)斷

5.25V 至 5.55V 固定過(guò)壓鉗位

0.6µs 過(guò)壓鎖定響應(yīng)

3.5µs 短路響應(yīng)

集成式 60mΩ 高側(cè) MOSFET

高達(dá) 2.5A 的持續(xù)負(fù)載電流

2.9 A 電流下的限流精度為 ±6%

禁用時(shí)反向電流阻斷

內(nèi)置軟啟動(dòng)