晶體管——IXFH60N65X2-4、BSZ520N15NS3G、IPW65R050CFD7A（供求芯片）

Mingjiada

深圳市明佳達電子，星際金華長期（供應及回收）原裝庫存器件！
【供求原裝器件】IXFH60N65X2-4（MOSFET 晶體管）BSZ520N15NS3G、IPW65R050CFD7A功率晶體管。
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！



IXFH60N65X2-4：650V、60A、N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4
系列：HiPerFET™, Ultra X2
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：60A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：108 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：780W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-4



BSZ520N15NS3G：150V，N通道功率 MOSFET 晶體管，PG-TSDSON-8
系列：OptiMOS™
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：150 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：21A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：890 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：57W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-TSDSON-8
封裝/外殼：8-PowerTDFN



IPW65R050CFD7A：650V，CoolMOS™ N 溝道汽車級SJ 功率 MOSFET CFD7A 晶體管
系列：CoolMOS™ CFD7A
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：45A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：50 毫歐 @ 24.8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.24mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4975 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：227W（Tc）
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：PG-TO247-3-41
封裝/外殼：TO-247-3