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上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiC™ MOSFET G2的產品特性（參考文章：CoolSiC™ MOSFET G2性能綜述）。那么在實際應用中，G2如何進行正確的選型呢？接下來兩篇文章會和大家仔細探討這個問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導通特性上。 在MOSFET設計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(on)往往會體現在產品型號中，比如IMZA120R040M1H中的040，代表的就是結溫25℃條件下，Vgs在18V時器件的RDS(on)約為40mΩ。 
從上面的參數表也可以看出，RDS(on)是一個正溫度系數的參數，對于IMZA120R040M1H來說，Tvj=175℃下的RDS(on)，幾乎等于常溫下的兩倍。 再來看G2 34mΩIMZC120R034M2H的參數表，Tvj=175℃下的RDS(on)，約等于常溫下的2.3倍。
可以看出G2 RDS(on)的溫度系數是要大于Gen1的。盡管在常溫下，IMZC120R034M2H RDS(on)=34mΩ，低于IMZA120R040M1H的39mΩ，但是在175℃時，IMZC120R034M2H RDS(on)達到了80mΩ，略高于IMZA120R040M1H的77mΩ。
SiC MOSFET常工作在高溫下，高溫下更高的RDS(on)會導致更高的導通損耗。那么為什么CoolSiC™ G2要設計這么明顯的RDS(on)溫度系數？這不是與功率器件低損耗、高功率的發展方向背道而馳？ 要回答這個問題，我們要先弄明白SiC MOSFET RDS(on)溫度特性背后的機理。 SiC MOSFEST總導通電阻RDS(on)主要有三部分組成：溝道電阻Rchannel，JFET電阻RJFET和漂移區電阻Rdrift。
在這三部分電阻中，溝道電阻Rchannel具有負溫度系數，即隨溫度上升，電阻反而下降。而RJFET和Rdrift則具有正溫度系數，即電阻隨溫度上升而上升。那么總導通電阻RDS(on)的溫度系數就由這三部分的比例決定。
如果溝道電阻Rchannel占比高，那么它的負溫度系數會很大程度上抵消掉RJFET和Rdrift的正溫度系數，使得總RDS(on)的溫度曲線比較平坦，對外表現為高溫下RDS(on)相比常溫下數值變化很小。反之，Rchannel占比低的話，總RDS(on)的溫度曲線就會很陡峭，高溫下RDS(on)增加明顯。 CoolSiC™ MOSFET是溝槽柵器件，從Gen1開始，溝道電阻Rchannel占比就很低，總RDS(on)的溫度系數就由正溫度系數的JFET電阻+漂移區電阻決定。而平面柵器件因為溝道電阻占比高，其負溫度系數補償了JFET電阻+漂移區電阻的正溫度系數，所以總RDS(on)的溫度系數比溝槽柵的CoolSiC™更低。
而CoolSiC™ G2溫度特性比G2更明顯。這都是由于CoolSiC™產品一直在不停的優化溝道質量，使得Rchannel在總電阻鏈路中的占比越來越低所致。 為什么英飛凌在執著的降低溝道電阻？做這件事又有什么好處？ SiC和Si材料有很大不同，在形成溝道時，會產生很多氧化層界面陷阱和界面態密度。這些界面態密度會捕獲電子，阻礙電子流動，增加溝道電阻。高溫時，被捕獲的電子獲得能量又被釋放，所以溝道電阻在高溫下反而降低，呈現負溫度系數。 SiC MOSFET中的溝道柵氧化層界面的質量是SiC發展的巨大挑戰。不過有挑戰就有機遇，機遇就是SiC是各向異性晶體，在不同晶面上形成的溝道質量是不一樣的，垂直晶面的界面態密度和氧化層陷阱要低于水平晶面。英飛凌選擇了一個特殊的[1120]晶面，它與垂直晶面有一個4℃的夾角，這個晶面能保持最低的界面態密度和氧化層陷阱，從而保證最高的溝道電子遷移率，以及最低的溝道電阻。同時，溝道電阻的負溫度系數也不明顯，可以理解為常溫下被捕獲的電子少，高溫下被釋放的電子也變少了。 通過采用降低柵氧化層界面的界面態密度和氧化層陷阱，可以提高溝道電子遷移率，允許使用更厚的柵氧化層，柵極氧化層的可靠性隨氧化層厚度的增加而呈指數級提高。從下圖中可以看到，英飛凌溝槽柵CoolSiC™所使用的柵氧化層厚度，遠高于平面柵，從而保證器件的長期可靠性與穩定性。
對于SiC MOSFET的設計發展而言，總體趨勢都是在想方設法改進溝道質量，降低溝道電阻, 未來的RDS(on)溫度系數勢必會更加明顯。 總結 綜上所述，對CoolSiC™ G2進行選型時，尤其是對原有項目做替代時，不能簡單的按照RDS(on)的數值進行一比一替換，開關損耗也是重要的考量因素，要實際考慮應用場景、電路拓撲、開關頻率、散熱環境等綜合條件。下一篇文章我們將會分析在軟開關和硬開關兩種場景下，分別應該如何選型。
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