iDEAL半導體宣布,其200 V SuperQ MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進入量產(chǎn)階段,另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。
SuperQ是硅MOSFET技術(shù)在超過25年來的首次重大進步,突破了長期存在的開關(guān)和導通限制。它在性能和效率方面實現(xiàn)了階躍式提升,同時保留了硅的核心優(yōu)勢:堅固性、高產(chǎn)量制造能力,以及在175 °C下的可靠表現(xiàn)。 首款進入量產(chǎn)的200 V器件是iS20M028S1P,這是一款25 mΩ的MOSFET,采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現(xiàn)已在TOLL和D2PAK-7L封裝中提供樣品,其最大RDS(on)僅為5.5 mΩ。這樹立了新的性能基準,其電阻比當前市場領(lǐng)先者低1.2倍,比次佳競爭對手低1.7倍。 “通過將SuperQ擴展到200 V,iDEAL證明了硅創(chuàng)新遠未結(jié)束,”iDEAL半導體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Mark Granahan表示!斑@些結(jié)果表明,我們可以在保持硅的可制造性、可靠性和成本優(yōu)勢的同時,提供最低電阻和卓越的開關(guān)性能。這是我們公司以及希望推動效率進步的客戶的一個重大里程碑! 200 V SuperQ系列的目標應用包括電機驅(qū)動、LED照明、電池保護、AI服務器、隔離DC/DC電源模塊、USB-PD適配器和太陽能。隨著器件進入生產(chǎn)階段并提供行業(yè)領(lǐng)先的樣品,iDEAL正在加速與高增長功率市場客戶的合作。 有關(guān)詳細規(guī)格和可用部件編號的完整列表,包括5.5 mΩ樣品器件,請訪問www.idealsemi.com。 |