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iDEAL Semiconductor 以 SuperQ MOSFET 為高壓電池設(shè)定新安全標(biāo)準(zhǔn)

發(fā)布時(shí)間:2025-11-21 17:30    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 電池管理 , SuperQ , 短路耐受 , SCWC
新型 150V/2.5mΩ 元件提供業(yè)界領(lǐng)先的短路耐受性,并使 72V+ 電池管理系統(tǒng)的元件數(shù)量減少高達(dá) 50%

iDEAL Semiconductor 推出其 SuperQ MOSFET 技術(shù),專門設(shè)計(jì)用來(lái)解決高壓(72V 及更高)電池管理系統(tǒng)(BMS)中關(guān)鍵的安全與效率權(quán)衡問題。此新平臺(tái)為 BMS 放電開關(guān)的最重要安全指標(biāo)——短路耐受能力(SCWC)——設(shè)定了業(yè)界基準(zhǔn)。



電動(dòng)移動(dòng)、無(wú)人機(jī)與專業(yè)電動(dòng)工具中高壓電池組的普及帶來(lái)了高風(fēng)險(xiǎn)挑戰(zhàn):在外部短路事件中防止災(zāi)難性故障,此時(shí)電流可能激增至數(shù)千安培。放電 MOSFET 是唯一負(fù)責(zé)在這些極端條件下隔離電池組的元件。  

“在高能量電池組中,耐受性是不可妥協(xié)的。傳統(tǒng) MOSFET 設(shè)計(jì)被迫在達(dá)成超低 RDS(on) 以提高效率,以及承受巨量短路電流所需的結(jié)構(gòu)完整性之間妥協(xié),”iDEAL Semiconductor 設(shè)計(jì)副總裁 Phil Rutter 博士表示。“SuperQ 平臺(tái)消除了這種妥協(xié)。我們的專利細(xì)胞結(jié)構(gòu)提供了市場(chǎng)最低的導(dǎo)通電阻,同時(shí)具備無(wú)可匹敵的安全裕度,讓設(shè)計(jì)師有信心建構(gòu)更小、更可靠且成本更低的電池系統(tǒng)。”  

1.4 倍優(yōu)異的短路耐受電流

iDEAL Semiconductor 的內(nèi)部測(cè)試證明了 SuperQ 的顯著性能優(yōu)勢(shì)。對(duì) iS15M2R5S1T(150V、2.5mΩ、TOLL 封裝)與領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的直接比較顯示:  

公司 / 產(chǎn)品 電壓VoltageRDS(on)SCWC (峰值)
iDEAL SuperQ (iS15M2R5S1T)150V2.5mΩ800A
領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手150V2.5mΩ580A

SuperQ 元件展現(xiàn)出比其最接近競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手高 1.4 倍的短路故障能力。此突破性性能透過專利細(xì)胞結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn),該結(jié)構(gòu)具有更寬的導(dǎo)電區(qū)域,在極端壓力下最大化功率密度與結(jié)構(gòu)完整性。

更低的系統(tǒng)成本與更高的可靠性

對(duì)于電池組設(shè)計(jì)師而言,此優(yōu)異的 SCWC 直接轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì):
•        元件減少:由于每個(gè) SuperQ 元件可處理顯著更高的短路電流,設(shè)計(jì)師可使用高達(dá) 50% 更少的并聯(lián) MOSFET 以滿足相同的安全要求。
•        成本節(jié)省:減少元件數(shù)量與復(fù)雜度導(dǎo)致物料清單(BOM)總成本大幅降低,并簡(jiǎn)化電路板布局。
•        效率:維持 2.5mΩ 的超低 RDS(on) 最小化導(dǎo)通損耗,延長(zhǎng)電池運(yùn)行時(shí)間并減少熱管理需求。

SuperQ 產(chǎn)品組合現(xiàn)已上市,提供高達(dá) 200V 的元件,為從 72V 到超過 144V 的電池平臺(tái)提供解決方案。

有關(guān)更多細(xì)節(jié)以及電池管理系統(tǒng)中其應(yīng)用的白皮書,請(qǐng)?jiān)L問https://idealsemi.com/battery-management/.

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