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PD快充MOS管HG5511D高性能低內(nèi)阻SGT工藝應(yīng)用方案 內(nèi)阻僅11mΩ 小尺寸DFN封裝

發(fā)布時(shí)間:2025-9-10 09:26    發(fā)布者:惠海IC
關(guān)鍵詞: 芯片
隨著智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的快速普及,以及移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的高速發(fā)展,人們對(duì)電子設(shè)備的需求和依賴(lài)程度越來(lái)越高。愈加強(qiáng)大的功能以及不斷增大的屏幕使得電子設(shè)備的耗電量加快,因此人們對(duì)于電池的充電效率及充電時(shí)間也有了更高的要求,推動(dòng)著快充技術(shù)的發(fā)展。  

      快速充電已經(jīng)成為當(dāng)下智能手機(jī)發(fā)展的新趨勢(shì),傳統(tǒng)的USB充電器也將會(huì)被新一代的快速充電器所取代,另外,快充的興起也帶動(dòng)了相關(guān)MOSFET需求的增長(zhǎng)。

在USB PD協(xié)議的快充電源方案中,用于整流同步的MOS管,可以保證在快充電源提高電壓來(lái)達(dá)到高電流高功率充電時(shí)的用電安全性。而低電壓高電流充電的“閃充”對(duì)同步整流的MOS管要求更為嚴(yán)苛。
       惠海半導(dǎo)體推出的一款高性能低內(nèi)阻SGT工藝MOS管HG5511D可應(yīng)用于PD快充充電器同步整流位置,內(nèi)阻僅11mΩ,可以解決充電器功耗大發(fā)熱的問(wèn)題;超低的Ciss(550pF)能夠較大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率;同時(shí)采用了小尺寸的DFN封裝,能夠節(jié)約占板面積,對(duì)于越來(lái)越小的充電器體積來(lái)說(shuō),是一個(gè)很好的選擇。HG5511D在各大快充電源終端廠商 18W 、27W 、33W等項(xiàng)目中均有廣泛使用,并獲得青睞。該產(chǎn)品可以作為電源驅(qū)動(dòng)(DC-DC轉(zhuǎn)換)、同步整流、開(kāi)關(guān)線路應(yīng)用等,適用于小家電、消費(fèi)電子等場(chǎng)景使用。

HG5511D參數(shù)特點(diǎn)
【HG5511D】SGT工藝NMOS,高頻率大電流
低內(nèi)阻、小體積、低結(jié)電容,快充專(zhuān)用MOS管

惠海半導(dǎo)體其他MOS管封裝及應(yīng)用
*常用封裝:DFN3333、SOT89-3、SOT23-3、SOP-8、TO-252、TO-220等

*常用型號(hào):3400、5N10、10N10、17N10、25N10、17N06、30N06、50N06、70N06、20N03、30N03、50N03、70N03等

*應(yīng)用領(lǐng)域:小家電(加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀、榨汁機(jī)、暖奶器、咖啡機(jī)等)、LED照明(舞臺(tái)燈、車(chē)燈、燈帶調(diào)光等)、快速充電器(手機(jī)、筆記本、平板、VR等)、移動(dòng)電源、無(wú)線充、3C數(shù)碼、安防設(shè)備、測(cè)量?jī)x器、可穿戴設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通信、物聯(lián)網(wǎng)IoT、新能源、醫(yī)療設(shè)備、智能家居、電腦主板顯卡、BMS 、POE、GPS藍(lán)牙耳機(jī)、藍(lán)牙音箱、電弧打火機(jī)、電子煙、車(chē)載電子、汽車(chē)音響、液晶顯示器、太陽(yáng)能電源、逆變系統(tǒng)、無(wú)刷伺服電機(jī)等產(chǎn)品。
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