為實現(xiàn)100A級二極管續(xù)流能力而采用多管并聯(lián)，是否正讓您的設(shè)計陷入均流調(diào)試、布局復雜和可靠性擔憂的困境？愛仕特科技量產(chǎn)推出的 ASC100D1200DT2（1200V/100A SiC肖特基二極管），以單管實現(xiàn)百安通流，直擊多管并聯(lián)核心痛點，助力工程師打造更簡潔、更穩(wěn)健的高功率系統(tǒng)。
ASC100D1200DT2介紹， ASC100D1200DT2關(guān)鍵參數(shù) 。
碳 碳化硅（SiC）Schottky diode具有抗浪涌電流能力強、高溫反向漏電低、低正向?qū)▔航�、零反向恢復�?75℃工作結(jié)溫等特性。 單管解決方案的直接優(yōu)勢 直接替代，消除并聯(lián)風險 顯著簡化設(shè)計與采購 1：PCB布局極大簡化：節(jié)省寶貴的板卡面積，減少驅(qū)動回路和均流電阻等外圍元件，降低布線復雜度。 2： 供應(yīng)鏈管理更高效：BOM器件數(shù)量減少，采購、備料和生產(chǎn)貼裝流程得以簡化。 優(yōu)異的散熱與通流能力 1：TO247-2封裝為單芯大電流優(yōu)化設(shè)計，提供優(yōu)良的散熱路徑。 2：結(jié)溫耐受175℃，高結(jié)溫下仍能保證出色的電流輸出能力，提升系統(tǒng)整體魯棒性和過載潛力。 告別并聯(lián)時代的困擾對比多管并聯(lián)方案的核心優(yōu)勢
碳化硅材料帶來的性能提升 • 零反向恢復損耗 (Qrr≈0)：徹底消除開關(guān)損耗尖峰，提升系統(tǒng)效率（尤其在高頻應(yīng)用中），并減小開關(guān)應(yīng)力。 • 高溫特性優(yōu)異：支持更高環(huán)境溫度運行，有助于減小散熱器尺寸或提升輸出功率。 ASC100D1200DT2的核心價值在于其自身的高電流密度特性，它為系統(tǒng)設(shè)計工程師提供了更優(yōu)的基礎(chǔ)選項： 提升可靠性 • 通過“減法”消除多管并聯(lián)這一重大風險點。 簡化設(shè)計 • 讓工程師專注于拓撲和創(chuàng)新，而非繁瑣的并聯(lián)調(diào)試。 釋放潛力 • 憑借碳化硅的固有優(yōu)勢，為系統(tǒng)的高效、高頻、高溫運行奠定基礎(chǔ)。 它代表了從“如何實現(xiàn)大電流”到“如何更好地利用大電流”的設(shè)計思維轉(zhuǎn)變。 碳化硅肖特基二極管的亮點表現(xiàn)： 更高電流密度、更低Qc：第三代二極管具有更高電流密度、更低Qc，使其在真實應(yīng)用環(huán)境中開關(guān)損耗更低。 更強浪涌能力：通過工藝及設(shè)計迭代優(yōu)化，第三代二極管實現(xiàn)了更高的浪涌能力。 更低成本：更高的電流密度帶來更小的芯片面積，使得器件成本較前兩代二極管進一步降低。 更高產(chǎn)量： 使用6英寸晶圓平臺，單片晶圓產(chǎn)出提升至4英寸平臺產(chǎn)出2倍以上。 碳化硅二極管（SiC SBD)產(chǎn)品概覽 |
