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薄型器件適于中高頻應(yīng)用，節(jié)省空間，同時降低寄生電感，實現(xiàn)更潔凈的開關(guān)特性 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩種新型1200 V MOSFET功率模塊---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120，提高汽車、能源、工業(yè)和通信系統(tǒng)中高頻應(yīng)用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY038P120和VS-MPX075P120分別有四顆和六顆MOSFET的模塊，采用薄型MAACPAK PressFit封裝，是先進的碳化硅（SiC）技術(shù)和堅固的傳遞模塑結(jié)構(gòu)的理想組合。 
日前發(fā)布的功率模塊集成Vishay新一代SiC MOSFET與用于溫度感測的負溫度系數(shù)（NTC）熱敏電阻，以及具有低反向恢復(fù)時間的快速本征SiC二極管，從而降低開關(guān)損耗，提高效率，適用于光伏逆變器、電動（EV）和混合電動（HEV）汽車充電器、電機驅(qū)動器、焊機、DC/DC轉(zhuǎn)換器、UPS、暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)、大型電池儲能系統(tǒng)、通信電源等。 為提高可靠性，VS-MPY038P120和VS-MPX075P120采用堅固的傳遞模塑工藝技術(shù)，產(chǎn)品生命周期遠超市場上現(xiàn)有的傳統(tǒng)解決方案，同時增強熱阻性能。此外，器件高度低，有助于降低寄生電感和電磁干擾（EMI），節(jié)省空間，實現(xiàn)更高效、更干凈的開關(guān)特性。模塊PressFit引腳矩陣排列符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)布局，便于輕松替換現(xiàn)有設(shè)計中的競品解決方案，提高性能。 VS-MPY038P120采用全橋逆變器拓撲結(jié)構(gòu)，導(dǎo)通電阻低至38 m，+80 C下連續(xù)漏極電流為35 A, 而VS-MPX075P120則采用三相逆變器拓撲結(jié)構(gòu)，導(dǎo)通電阻為75 m，連續(xù)漏極電流為18 A。兩種器件都具有低容值高速開關(guān)功能，最高工作結(jié)溫達+175 C。功率模塊符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。 VS-MPX075P120和VS-MPY038P120現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為13周。 |
