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安森美與英諾賽科達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議,共同加速推進(jìn)全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)

發(fā)布時間:2025-12-4 17:35    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: GaN , 英諾賽科
此次合作將建立高產(chǎn)能、成本優(yōu)化的全球 GaN 制造體系,加速高能效功率器件的市場部署

安森美(onsemi)宣布已與英諾賽科(Innoscience)簽署諒解備忘錄,雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵(GaN)硅基工藝,以擴(kuò)大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美在系統(tǒng)集成、驅(qū)動器和封裝方面的專業(yè)能力,以及英諾賽科成熟先進(jìn)的 GaN 制造能力,旨在加速推出高性價(jià)比、節(jié)能高效的解決方案,推動 GaN 技術(shù)普及進(jìn)程。

安森美(onsemi)與英諾賽科(Innoscience )今日宣布簽署一份諒解備忘錄(MoU),旨在評估加速氮化鎵(GaN)功率器件部署的機(jī)遇,首先從40-200V功率器件入手,以顯著提升客戶采用率。該備忘錄概述的合作將安森美在集成系統(tǒng)和封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢與英諾賽科成熟的GaN技術(shù)和大規(guī)模量產(chǎn)能力相結(jié)合,從而為工業(yè)、汽車、電信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子和AI數(shù)據(jù)中心市場提供高性價(jià)比、高效率的GaN產(chǎn)品。

GaN 半導(dǎo)體器件憑借更高的開關(guān)速度、更小的尺寸和更低的能耗,能夠在更小的空間內(nèi)提供更大的功率。迄今為止,有限的產(chǎn)品供應(yīng)和產(chǎn)能不足制約了GaN 在低壓和中壓領(lǐng)域的應(yīng)用。通過此次合作,安森美和英諾賽科將攜手突破這些阻礙,加速實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的GaN 解決方案在全球主流市場的大規(guī)模部署。

        工業(yè)領(lǐng)域:機(jī)器人電機(jī)驅(qū)動器、太陽能微型逆變器及優(yōu)化器
        汽車領(lǐng)域:DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流
        電信基礎(chǔ)設(shè)施:DC-DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器
        消費(fèi)及大眾市場:電源、適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器、音頻設(shè)備、輕型電動汽車、電動工具、機(jī)器人等
        AI數(shù)據(jù)中心:中間總線轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、備用電池

對于安森美的客戶而言,與英諾賽科的合作將帶來如下優(yōu)勢:
        加快產(chǎn)品上市速度:憑借安森美的系統(tǒng)專業(yè)知識以及英諾賽科成熟的 GaN 技術(shù)和制造工藝,實(shí)現(xiàn)快速原型制作、加速設(shè)計(jì)導(dǎo)入,并迅速進(jìn)入主流市場。
        可擴(kuò)展制造:依托安森美全球集成與封裝經(jīng)驗(yàn)及英諾賽科成熟的 GaN 產(chǎn)能,實(shí)現(xiàn)真正面向大眾市場的規(guī);a(chǎn),滿足大批量產(chǎn)能爬坡需求。
        更低的系統(tǒng)成本:優(yōu)化封裝、減少元器件數(shù)量和簡化熱管理,實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)并降低整體系統(tǒng)成本。

“隨著各行各業(yè)電力需求的增長,GaN 相比其他材料具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能耗。迄今為止,在低壓和中壓領(lǐng)域,成本和供應(yīng)限制了其廣泛應(yīng)用。通過與英諾賽科的合作,我們有望利用業(yè)界最大的GaN生產(chǎn)基地,迅速擴(kuò)大我們面向全球客戶的GaN產(chǎn)品交付,推動在主流電力應(yīng)用中的普及!卑采榔髽I(yè)戰(zhàn)略副總裁 Antoine Jalabert表示。

“GaN技術(shù)對于改進(jìn)電子產(chǎn)品、打造更小、更高效的電源系統(tǒng),節(jié)約電力以及減少二氧化碳排放至關(guān)重要。英諾賽科很高興能與安森美探索戰(zhàn)略合作機(jī)遇,在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大和加速GaN 電源技術(shù)的應(yīng)用,并依托安森美豐富的產(chǎn)品組合構(gòu)建系統(tǒng)集成平臺!庇⒅Z賽科產(chǎn)品與工程高級副總裁孫毅表示。

完整的智能電源產(chǎn)品組合
預(yù)計(jì)到2030年,GaN將在全球功率半導(dǎo)體市場占據(jù)約29億美元(11%)的份額,2024-2030年期間復(fù)合年增長率預(yù)計(jì)達(dá)42%1。此次與英諾賽科的合作將進(jìn)一步拓展安森美智能電源產(chǎn)品組合,該產(chǎn)品組合現(xiàn)已涵蓋硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵技術(shù)。這些技術(shù)的結(jié)合使安森美能夠?yàn)锳I數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用提供最佳電源系統(tǒng)。這一完整的低壓和中壓產(chǎn)品組合鞏固了安森美作為領(lǐng)先的全集成電源系統(tǒng)供應(yīng)商的地位,助力客戶在全球電氣化和人工智能能源需求持續(xù)激增的背景下,最大限度地提高性能和能效。

時間安排與供貨情況
安森美預(yù)計(jì)將于2026年上半年開始提供樣品。

1 Source:Yole Power GaN 2025

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