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新型X4級(jí)器件在簡(jiǎn)化熱設(shè)計(jì)，提高效率的同時(shí)減少了儲(chǔ)能、充電、無(wú)人機(jī)和工業(yè)應(yīng)用中零部件數(shù)量。 Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）推出 MMIX1T500N20X4 X4級(jí)超級(jí)結(jié)功率MOSFET。這款200 V、480 A N通道MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on)極低，僅為1.99 mΩ，可在功率密集型設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)卓越的導(dǎo)通效率、簡(jiǎn)化熱管理并提高系統(tǒng)可靠性。 
MMIX1T500N20X4采用高性能陶瓷基隔離SMPD-X封裝，配備頂部散熱結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)最佳熱管理。與最先進(jìn)的現(xiàn)有X4級(jí)MOSFET解決方案相比，該器件提供高達(dá)2倍的額定電流和低63%的RDS(on)，使工程師能夠?qū)⒍鄠�(gè)并聯(lián)的低電流器件整合到單一的高電流解決方案中。 功能與特色： • 200 V阻斷電壓，1.99 mΩ超低RDS(on)，可將傳導(dǎo)損耗降至最低； • 高電流能力（ID = 480 A）減少了所需并聯(lián)器件的數(shù)量； • 緊湊型SMPD-X隔離封裝，具有2500 V隔離和改進(jìn)的熱阻（Rth(j-c) = 0.14 °C/W）； • 低柵極電荷（Qg = 535 nC）降低了柵極驅(qū)動(dòng)功率要求； • 采用頂部冷卻式封裝，簡(jiǎn)化熱管理。 這些特性共同實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度、更少的元件數(shù)量以及更簡(jiǎn)便的組裝流程，有利于打造出更高效、更可靠且更具成本效益的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 應(yīng)用： 該MMIX1T500N20X4非常適合： • 直流負(fù)載開關(guān)； • 電池儲(chǔ)能系統(tǒng)； • 工業(yè)和過(guò)程電源； • 工業(yè)充電基礎(chǔ)設(shè)施； • 無(wú)人機(jī)和垂直起降飛行器（VTOL）平臺(tái)。 “新款器件使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒍鄠�(gè)并聯(lián)的低電流器件整合到一個(gè)高電流器件中，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并減少元件數(shù)量。”Littelfuse產(chǎn)品營(yíng)銷分析師Antonio Quijano介紹道， “這有助于提高系統(tǒng)可靠性，簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)施，同時(shí)提高功率密度和PCB空間利用率。” 常見問(wèn)答（FAQ） 1. 與現(xiàn)有解決方案相比，MMIX1T500N20X4 MOSFET如何提升系統(tǒng)效率？ MMIX1T500N20X4提供1.99 mΩ的超低RDS(on)，額定電流為480 A，可減少傳導(dǎo)損耗和發(fā)熱。用單個(gè)器件取代多個(gè)并聯(lián)MOSFET，可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少元件數(shù)量并提升整體系統(tǒng)效率。 2. 這款MOSFET最適合哪些應(yīng)用場(chǎng)景？ 該MOSFET非常適合對(duì)效率和可靠性要求嚴(yán)苛的大電流、中低壓系統(tǒng)。典型應(yīng)用包括直流負(fù)載開關(guān)、電池儲(chǔ)能、工業(yè)電源、充電基礎(chǔ)設(shè)施以及無(wú)人機(jī)或垂直起降飛行器的電力電子設(shè)備。 3. SMPD-X設(shè)計(jì)在散熱和封裝方面具有哪些優(yōu)勢(shì)？ 高性能陶瓷基SMPD-X封裝具有出色的熱阻（Rth(j-c) = 0.14 °C/W）和2500 VRMS隔離性能，可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更安全的操作。其頂部冷卻設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了熱管理，減小了系統(tǒng)尺寸，并增強(qiáng)了長(zhǎng)期可靠性。 供貨情況 MMIX1T500N20X4以管式（20支）和卷帶式（每卷160支）兩種形式提供。通過(guò)全球授權(quán)的Littelfuse經(jīng)銷商提交樣品申請(qǐng)。如需了解Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷商名單，請(qǐng)?jiān)L問(wèn) Littelfuse.com。 |
