大聯大旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP5156x芯片的雙通道隔離驅動IC評估板方案。
圖示1-大聯大世平基于onsemi產品的IC評估板方案的展示板圖 當前，新能源及工業驅動市場正面臨高功率密度與高可靠性要求的雙重挑戰。隨著碳化硅等寬禁帶半導體技術的普及，高頻應用帶來的開關損耗、電磁干擾及安全隔離問題日益凸顯。大聯大世平基于onsemi NCP5156x芯片推出雙通道隔離驅動IC評估板方案，憑借其4.5A/9A的強大驅動能力和5kVRMS的高等級電氣隔離性能，有效提升了系統的開關效率與運行穩定性。
圖示2-大聯大世平基于onsemi產品的IC評估板方案的場景應用圖 NCP5156x是onsemi旗下一款高性能雙通道隔離柵極驅動器，專為驅動功率MOSFET和SiC MOSFET的快速開關應用而優化。該器件具備4.5A拉電流和9A灌電流的峰值驅動能力，能夠有效滿足高頻開關應用對驅動強度的嚴苛需求。 NCP5156x具有卓越的時序特性，其傳播延遲短且通道間匹配度高，有助于提升系統效率并減少開關損耗。在安全隔離方面，器件提供了輸入與輸出之間高達5kVRMS的電氣隔離強度，并支持高達1500VDC的工作電壓，為高壓應用場景提供可靠保障。 該驅動器支持靈活的配置方式，可適配多種拓撲結構，包括兩個低側驅動、兩個高側驅動或帶可編程死區時間的半橋驅動。通過ENA/DIS引腳可實現雙通道的啟用或停用控制，簡化了系統管理。此外，NCP5156x還集成了完善的保護功能，包括獨立的柵極驅動器欠壓鎖定（UVLO）和可調節的死區時間控制，進一步增強系統的可靠性和安全性。 針對5kVRMS隔離需求，評估板采用NCP51561高性能隔離雙通道柵極驅動器，為功率器件提供穩定可靠的驅動支持。設計指南詳盡囊括操作流程、接口定義、電路原理圖、PCB布局規范及完整物料清單（BOM），助力工程師快速完成系統設計與驗證。評估板全面支持NCP51561xyDWR2G、NCV51561xyDWR2G、NCP51560xyDWR2G、NCP51563xyDWR2G和NCV51563xyDWR2G等多個系列芯片的性能評估。
圖示3-大聯大世平基于onsemi產品的IC評估板方案的的方塊圖 為針對光伏逆變器、電動汽車驅動、工業電機及云服務器電源等高壓應用場景，評估板提供了完整的技術解決方案。它集成了高性能隔離驅動與完善的保護機制，可有效應對高頻開關損耗、電磁干擾及安全隔離等設計挑戰。通過提供經過驗證的參考設計、優化布局方案及完整物料清單，顯著降低研發門檻，助力客戶加速產品上市進程，為高可靠性功率系統提供技術支撐。 核心技術優勢： 設計靈活性好：可用于雙低側、雙高側或半橋閘極驅動： 兩個輸出驅動器均具有獨立的UVLO保護； 輸出電源電壓范圍為6.5V至30V，其中驅動電壓5V、8V用于一般MOSFET、13V和17V用于SiC MOS； 4.5A峰值拉電流（Sink）、9A峰值灌電流（Source）輸出； 共模瞬態抗擾度CMTI >200V/ns； 傳播延遲典型值為36ns。 每個通道有5ns最大延遲匹配，5ns最大脈寬失真： 使用者可程式輸入邏輯通過ANB的單輸入或雙輸入模式（僅限NCP51561/563）啟用或停用模式； 3V至5.0V VDD電源范圍，最高30V VCCA/VCCB電源范圍； 4.5A和9A拉電流/灌電流驅動能力； TTL兼容輸入； 允許輸入電壓高達18V，適用于INA、INB、和ANB腳位； 用于死區時間的板載微調電位器程式設計； 用于INA、INB和ENA/DIS的3位接頭引腳； 2位接頭，用于ANB引腳； 支持MOSFET和SiC半橋測試。 連接到外部功率級MOSFET，輸入電壓：600V-800VDC（最大允許900VDC）。 方案規格： 電源電壓：輸入側VDD 3.0V（最小）-5.0V（最大）； 電源電壓：驅動器側如下可選： b1：5V UVLO版本VCCA、VCCB：6.5V（最小）-30V（最大）； b2：8V UVLO版本VCCA、VCCB：9.5V（最小）-30V（最大）； b3：13V UVLO版本VCCA、VCCB：14.5V（最小）-30V（最大）； b4：17V UVLO版本VCCA、VCCB：18.5V（最小）-30V（最大）； INA、INB和ANB接腳上的邏輯輸入電壓VIN：0V（最小）-18V（最大）； ENA/DIS VEN腳位上的邏輯輸入電壓：0V（最小）-5.0V（最大）； 工作溫度Tj：−40℃（最小）-+125℃（最大）。 |
