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12月6日，本屆國際電子器件大會（IEDM 2025）于舊金山召開，中國半導體力量成為聚光燈下的焦點。在全球頂尖學術舞臺上，中國機構合計貢獻了101篇入選論文，其中，北京大學以21篇的入選量連續五年雄踞全球高校榜首；在產業界，長鑫存儲作為國內DRAM領域的代表，憑借兩項前沿技術成果的入選，論文數位居國內企業首位。 IEDM 2025見證中國半導體崛起 被譽為半導體“奧林匹克”的IEDM大會，長期是全球器件技術演進的風向標。今年正值場效應晶體管誕生百年，大會以“FET 100年：塑造設備創新的未來”為主題，在人工智能驅動算力與存儲需求爆發的時代背景下，其議程不僅反映學術前沿，更預示未來存儲技術的演進方向與產業變局。 長鑫存儲在大會上披露的兩項成果引人注目：一是實現了單片集成的3D鐵電存儲器（3D FeRAM），采用創新的雙層堆疊1T1C架構與雙柵極選擇晶體管，在性能與耐用性上表現突出，為下一代低功耗非易失性存儲鋪平道路；二是成功研制出全球首個在后段制程（BEOL）集成的新型多層堆疊DRAM，基于IGZO晶體管實現，并在性能與可靠性方面取得關鍵進展，為DRAM技術的持續演進開辟了新路徑。 長鑫技術創新驅動產品全面進階 扎實的研發積累正轉化為市場競爭的強勁動力。長鑫存儲目前已構建起覆蓋DDR4、DDR5、LPDDR5、LPDDR5X的全系列產品體系。據官網信息，長鑫今年10月推出的LPDDR5X芯片，最高速率達10667Mbps，性能較前代提升66%，功耗則降低30%，已達到國際主流水平。據行業了解，長鑫存儲正在研發的0.58mm超薄芯片，有望在量產后成為全球最薄的LPDDR5X產品。 在標準型存儲領域，長鑫于11月發布了最新DDR5產品，最高速率突破8000Mbps，并提供24Gb大容量顆粒，兩項指標均步入國際領先行列。24Gb大容量顆粒尤其適合數據中心場景，可在不增加物理空間的前提下顯著提升系統容量與運算效率。此外，圍繞DDR5芯片，長鑫還推出了UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM七大模組，完整覆蓋從個人電腦到服務器的高端應用需求。 根據美國半導體行業協會最新數據，2025年10月全球半導體銷售額同比增長33%，其中DRAM銷售額同比激增90%，行業復蘇態勢強勁。在此背景下，長鑫存儲持續推進的上市進程也獲得有利環境支撐。分析指出，行業基本面的顯著改善，為長鑫IPO增添了更具說服力的成長敘事，有望進一步強化投資者對公司長期價值與盈利潛力的信心。 |
