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支持0~4V寬壓輸入的同時，能夠保持1Gohm的高阻輸入，可顯著提升電壓采樣的精度與抗干擾能力 納芯微今日宣布正式推出全新一代隔離電壓采樣芯片NSI1611系列。作為納芯微經(jīng)典產品NSI1311系列的全面升級，NSI1611系列基于其領先的電容隔離技術，在性能與適配性上實現(xiàn)雙重突破。其核心創(chuàng)新在于支持0~4V寬壓輸入的同時，能夠保持1Gohm的高阻輸入，可顯著提升電壓采樣的精度與抗干擾能力；同時部分料號亦兼容傳統(tǒng)0~2V輸入，為客戶提供更靈活的器件選擇。 NSI1611系列包含差分輸出的NSI1611D和單端輸出的NSI1611S。其中，差分輸出均為固定增益，單端輸出則提供固定增益和可調比例增益兩類選項，進一步滿足不同系統(tǒng)架構與設計需求。 
在新能源汽車與工業(yè)自動化領域，對高壓系統(tǒng)采樣提出了“高精度、高靈活度”的嚴苛要求，隔離電壓采樣芯片的性能迭代與場景適配能力已成為行業(yè)競爭關鍵。全新NSI1611系列通過創(chuàng)新的寬壓+高阻輸入與靈活輸出配置兩大特點，能夠同時支持新項目設計與存量平臺升級，為新能源汽車主驅逆變器、車載充電機（OBC）等汽車應用，以及伺服、變頻器、電機驅動等工業(yè)應用帶來更優(yōu)的器件選擇。 創(chuàng)新寬壓+高阻輸入，精度抗擾雙重提升 以新能源汽車主驅系統(tǒng)為例，隨著其母線電壓進一步提升至800V，以及SiC/GaN器件的應用，控制系統(tǒng)對電壓采樣的精度及抗干擾能力有了更高的要求。市面上多數(shù)隔離電壓采樣芯片的輸入范圍為0~2V，而NSI1611創(chuàng)新性地在保持1Gohm高阻輸入的同時，將其拓展至0~4V，突破前代及行業(yè)同類產品的輸入范圍限制，帶來精度和抗干擾的雙重升級，在適配更高母線電壓的同時，降低了設計復雜度和開發(fā)周期。 抗干擾能力增強：NSI1611采用寬壓輸入時，參考地的噪聲對輸入信號的干擾比例直接減半。結合NSI1611內部的電路優(yōu)化，其芯片EOS能力大幅提升，且EMI可通過CISPR 25 Class 5等級測試，CMTI高達150kV/μs。在新能源汽車主驅、工業(yè)變頻器等高開關頻率的復雜電磁環(huán)境中，寬壓輸入能夠保證采樣信號更純凈，大大提升了系統(tǒng)運行的穩(wěn)定性，降低終端應用的失效風險。 采樣精度再升級：0~4V的寬壓輸入范圍可擴大分壓比，結合優(yōu)化的信號調理設計，在保持高阻輸入的同時顯著降低輸入誤差，讓測量數(shù)據(jù)更接近真實電壓值，為系統(tǒng)的精準控制提供可靠數(shù)據(jù)；在采樣誤差測試中，相比前代產品NSI1311系列，NSI1611系列憑借更寬的輸入范圍在系統(tǒng)的低壓區(qū)域取得了較大的精度優(yōu)勢，在滿量程800V母線電壓系統(tǒng)中，當輸入電壓100V時，NSI1611的采樣誤差相比NSI 1311降低超30%，誤差低于1.2%。
NSI1611和NSI1311的采樣誤差隨輸入電壓變化曲線 單端/差分輸出靈活選擇，簡化設計更高效 憑借深刻的系統(tǒng)級理解，NSI1611系列基于前代產品的應用痛點，全新加入單端輸出版本，并且提供“固定增益/比例增益”雙版本選擇，適配多元化的系統(tǒng)配置需求，可幫助客戶簡化選型和設計： 簡化設計、降低BOM成本：NSI1611的單端輸出信號可直接接入MCU的ADC接口，徹底省去了傳統(tǒng)差分輸出方案所必需的后級運放及調理電路，不僅直接降低了BOM成本，還簡化了PCB布局與器件選型復雜度，為緊湊型和高功率密度應用提供了更優(yōu)的解決方案。 增益自適應適配多元需求：比例增益版本（NSI1611S33/NSI1611S50）可通過REFIN引腳進行配置，使輸出增益匹配后端ADC的滿量程輸入范圍，最大化利用ADC的動態(tài)范圍，提升了整體信號鏈的有效位數(shù)與采樣精度，進一步滿足多元化的高精度測量需求。
單端輸出隔離電壓采樣應用電路圖（無需后級運放）
差分輸出隔離電壓采樣應用電路圖（橙框內為運放） 同時，NSI1611系列亦保留差分輸出版本NSI1611D02，與納芯微NSI1311完全引腳兼容，客戶無需修改PCB即可實現(xiàn)無縫升級或跨品牌替換，顯著降低遷移成本。 多項參數(shù)優(yōu)化，性能全面升級 隨著系統(tǒng)功率密度的提升，對器件耐壓能力、采樣精度、EMI性能等提出了更高的要求。NSI1611針對相關關鍵參數(shù)進行了優(yōu)化，在全面升級器件可靠性和性能的同時，亦優(yōu)化了器件成本，為客戶提供“性能-成本-可靠性”兼得的選擇。 車規(guī)級可靠性保障：NSI1611系列的車規(guī)版本滿足AEC-Q100 Grade 1要求，工作溫度覆蓋-40℃~125℃，隔離耐壓高達5700Vrms，最大浪涌隔離耐壓Viosm達10kV，適配汽車高溫高壓嚴苛環(huán)境，可在極端場景下確保隔離的可靠性。 精度參數(shù)全面進階：NSI1611系列的輸入偏置電壓Vos（Offset Voltage）指標優(yōu)化至±0.8mV，相較于前代NSI1311同規(guī)格產品的±1.5mV，精度表現(xiàn)實現(xiàn)巨大提升；此外，增益溫漂（Gain Drift）從前代的45ppm/℃優(yōu)化至40ppm/℃，全溫區(qū)精度穩(wěn)定性進一步提升；非線性誤差、溫漂（Offset Drift）維持在行業(yè)優(yōu)異水平，有效加快了系統(tǒng)開發(fā)的標定流程；同時，NSI1611系列的采樣帶寬達到330kHz，適配SiC和GaN等新一代高頻開關器件控制，滿足高動態(tài)響應需求。 功耗優(yōu)化更節(jié)能：相比前代產品，NSI1611系列功耗表現(xiàn)進一步優(yōu)化，助力終端產品降低能耗。對比前代，NSI1611的Idd1由11.4mA降低至7.2mA，Idd2由6.3mA降低至4.7mA（均為典型值Typ.），NSI1611系列的整體綜合功耗下降約33%，可助力客戶打造更節(jié)能的汽車電子系統(tǒng)，提高新能源汽車的續(xù)航里程。 EMI表現(xiàn)更優(yōu)異：NSI1611基于時鐘信號隔離通道復用技術，大幅優(yōu)化了EMI表現(xiàn)。在200MHz到1000MHz頻段的EMI測試中，NSI1611的輻射發(fā)射（RE）指標在水平方向和垂直方向均保持10dB以上裕度（3dB～6dB裕度即可滿足工程需求），可輕松通過CISPR 25 Class 5認證，面對汽車主驅、OBC等復雜電磁環(huán)境，可以減小對系統(tǒng)其他部件的電磁干擾，有效減少系統(tǒng)電磁兼容整改工作量，加快產品上市進度。
NSI1611 輻射發(fā)射（RE）實測圖 （CISPR 25 Class 5 3m 垂直方向）
NSI1611輻射發(fā)射（RE）實測圖 （CISPR 25 Class 5 3m 水平方向） 封裝和選型 NSI1611系列選型表
豐富的“隔離+”產品，滿足多元化應用需求 憑借在隔離技術方面的積累和領先優(yōu)勢，納芯微提供涵蓋數(shù)字隔離器、隔離采樣、隔離接口、隔離電源、隔離驅動等一系列 “隔離+”產品。納芯微正以全生態(tài)“隔離+”產品矩陣，為高壓系統(tǒng)筑造安全可靠的防線： “+”代表增強安全：納芯微“隔離+”產品提供超越基本隔離標準的安全等級，為客戶系統(tǒng)構筑更堅固的高低壓安全邊界。 “+”代表全產品生態(tài)：納芯微以成熟的電容隔離技術IP為核心，拓展出包括數(shù)字隔離器、隔離采樣、隔離接口、隔離電源、隔離驅動等完整產品組合，為客戶提供隔離器件的一站式解決方案。 “+”代表深度賦能應用：納芯微“隔離+”產品可滿足電動汽車高壓平臺、大功率光儲充系統(tǒng)，以及高集成、高效率AI服務器電源等場景的核心需求，實現(xiàn)系統(tǒng)級安全、可靠與高效。 全新推出的NSI1611系列隔離電壓采樣芯片將于2026年1月全面量產，進一步咨詢NSI1611系列及“隔離+”產品，可郵件sales@novosns.com；更多產品信息、技術資料敬請訪問www.novosns.com。 |
