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談?wù)摯龣C(jī)功耗

發(fā)布時間:2012-4-29 21:00    發(fā)布者:1770309616
  節(jié)能減排已經(jīng)成為全球的大趨勢,在這一個趨勢下,現(xiàn)在,除了把電子設(shè)備運(yùn)行時的功耗降低外,標(biāo)準(zhǔn)組織、半導(dǎo)體廠商也在把電子設(shè)備的待機(jī)功耗進(jìn)一步,以節(jié)省更多的能耗和資金,數(shù)年前,如果說要將電子設(shè)備待機(jī)個功耗降低到幾十毫瓦,很多人會你認(rèn)為是瘋狂的想法,而現(xiàn)在這已經(jīng)成為現(xiàn)實(shí),而且,實(shí)際上,這還有進(jìn)一步降低的空間,近日,恩智浦半導(dǎo)體資深產(chǎn)品市場經(jīng)理張錫亮分享了降低功耗的四個重要舉措。
  待機(jī)功耗=驚人的浪費(fèi)
  據(jù)張錫亮介紹,數(shù)據(jù)顯示,平均下來,每個家庭每年僅在制冷、白家電、小家電等方面的支出就占到了40%左右,從待機(jī)功耗上測試,家庭電視機(jī)頂盒在一天待機(jī)狀態(tài)下的耗電量為0.131度,一個月按照30天算就是3.93度電,一年按365天算就是47.82度電,按照目前一度電0.52元計算,一年將多支出電費(fèi)24.87元。
  
  如果按每個筆記本每天待機(jī)功耗0.5W計算,每年消耗的電能和資金就是
  200M*0.5W*365*24=876,000M Wattage/Hour=876M度=4,380MNT$=931.9MRMB=9億3千萬人民幣!
  如果按每個手機(jī)充電器待機(jī)功耗0.3W來計算,每年都消耗就是:
  1500M*0.3W*365*24=3,942,000M wattage/hour =3,942M度=19,710MNT$=4,194MRMB=41億9千萬人民幣
  可見待機(jī)功耗造成的浪費(fèi)是非常驚人的!實(shí)際上,在日常生活中,我們是經(jīng)常把電腦、筆記本、電視機(jī)、機(jī)頂盒、充電器置于待機(jī)狀態(tài)的,所以這些消耗是實(shí)實(shí)在在發(fā)生的。
  針對待機(jī)功耗驚人的浪費(fèi),標(biāo)準(zhǔn)組織早就著手制定嚴(yán)格的規(guī)定,這是歐盟的能效星級標(biāo)準(zhǔn)
  
  能源之星也有類似的規(guī)定,不過張錫亮表示,這個規(guī)定還不夠嚴(yán)苛,所以他預(yù)計能源之星會出臺更嚴(yán)苛的標(biāo)準(zhǔn)。
  
  降低功耗的四大舉措
  面對嚴(yán)格的待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)需求,半導(dǎo)體廠商各出奇招,努力降低待機(jī)功耗,張錫亮分享了NXP的四大舉措,就是:
  1、采用burst模式提供輕載時的效率
  所謂的Burst Mode就是間歇振蕩模式,是降低待機(jī)損耗的常用手段,當(dāng)開關(guān)頻率降低到20K附近的時候如果還要繼續(xù)減小損耗,就可以進(jìn)入Busrt mode,此時的開關(guān)波形是振一會停一會,這樣就可以進(jìn)一步減小開關(guān)損耗。張錫亮解釋說,從下圖可以看出,電源的損耗在低功耗時主要由開關(guān)損耗來主導(dǎo),可以用burst模式來降低損耗,不過,他說要注意選擇一個好的效率平衡點(diǎn)。
  
  BURST 模式的主要是通過對電感電流峰值最小值的鉗位來實(shí)現(xiàn)的。使能BURST 模式要將MODE接低電平,讓BL」RST信號通過選擇器到SLEEP。
  
  BURST 模式的具體工作過程見下圖,在輕載時,主功率管對負(fù)載是過充的,電感充向負(fù)載的電流大于負(fù)載電流,多余的電流就流向輸出大電容,這導(dǎo)致輸出電壓的升高。V而的升高到Bt)RST遲滯比較器的高值時,輸出BUSRr信號翻轉(zhuǎn),傳輸至SLEEP信號,關(guān)斷主功率管,等電感電流反向時關(guān)斷同步管,同時還關(guān)斷系統(tǒng)中其他的大部分電路,使靜態(tài)功耗降低。當(dāng)主功率管被關(guān)斷,負(fù)載電流由輸出濾波電容提供,所以輸出電壓下降,當(dāng)降到BURST遲滯比較器的低值時,BUSRf信號使能主功率管,系統(tǒng)重新進(jìn)入峰值電流鉗位狀態(tài)工作。高負(fù)載用同步整流輕負(fù)載的情況下效率要高。
  2、在高負(fù)載時采用同步整流技術(shù)
  同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù),它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。因?yàn)楣β蔒OSFET屬于電壓控制型器件,它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系。用功率MOSFET做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流。
  
  實(shí)際上,開關(guān)電源的損耗主要由3部分組成:功率開關(guān)管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導(dǎo)通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出。快恢復(fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會產(chǎn)生大約0.6V的壓降,這就導(dǎo)致整流損耗增大,電源效率降低。
  目前筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達(dá)20A。此時超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會達(dá)到(18%~40%)PO,占電源總損耗的60%以上。因此,傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實(shí)現(xiàn)低電壓、大電流開關(guān)電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸。(來源:百度百科)
  3、采用SOI工藝提升系統(tǒng)能效
  實(shí)際上,NXP 的Green chip芯片都是采用了其獨(dú)有的SOI工藝和設(shè)計,可以大幅度提升電源系統(tǒng)的能效,與普通電源相比,可以節(jié)能達(dá)20~30%,NXP的MOSFET也是采用這個工藝技術(shù),可以將導(dǎo)通電阻做的很低。
  4、采用Multi mode 實(shí)現(xiàn)能效的均衡
  這實(shí)際上是一種變頻的技術(shù),具體說來,就是在重負(fù)載下,減小PWM的頻率,這樣把開關(guān)損耗降到最低,還可以減少EMI。
  
  在輕負(fù)載時,則關(guān)掉PFC轉(zhuǎn)換器,提升能效,這是通過輕載是降低反激式開關(guān)電源頻率來實(shí)現(xiàn)的,另外,張錫亮也表示可以在反饋環(huán)路中接一個更高歐姆值的梯形電阻來降低輕載時的損耗。
  
  
  
  他也指出,在降低待機(jī)功耗的時候要注意消除噪聲
  
  目前NXP green chip芯片的待機(jī)功耗測試指標(biāo)
  
  NXP融合了上述四種技術(shù)的各類控制器產(chǎn)品
  
  未來,待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)會越來越嚴(yán)格,半導(dǎo)體廠商還會從哪些途徑降低待機(jī)功耗?張錫亮表示,NXP已經(jīng)研發(fā)出了新的技術(shù)來降低待機(jī)功耗,這個技術(shù)預(yù)計在今年下半年發(fā)布。有興趣的可以關(guān)注下。

來源:電子創(chuàng)新網(wǎng)
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