Vishay推下一代D系列MOSFET 具有超低導通電阻、超低柵極電荷
Vishay 推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。
今天發布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術，使效率和功率密度達到新的水平。器件的條帶設計加上更小的裸片尺寸和端接，使柵極電荷比前一代方案低50%，同時提高了開關速度，降低了導通電阻和輸入電容。
400V、500V和600V器件的導通電阻分別為0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的導通電阻意味著極低的傳導和開關損耗，能夠在服務器和通信電源系統、焊接、等離子切割、電池充電器、熒光燈、高強度放電(HID)照明、半導體設備和電磁加熱的高功率、高性能開關電源應用中節約能源。
D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的柵極電荷分別為9nC、6nC和45nC，具有最佳的柵極電荷與導通電阻乘積，該值是用在功率轉換應用中MOSFET的關鍵優值系數(FOM)，400V、500V和600V器件的FOM分別為7.65 Ω-nC、15.6 Ω-nC和12.3 Ω-nC。
新的D系列MOSFET采用簡單的柵極驅動電路、非常耐用的本體二極管，易于設計到更緊湊、更輕、發熱更少的終端產品中。器件符合RoHS指令，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，雪崩(UIS)定級讓器件能夠穩定可靠地工作。
型號
|
|
ID @ 25 ºC (A)
|
RDS(ON) @
max 10 V (Ω)
|
Qg 典型值 (nC)
|
封裝
|
SiHP6N40D
|
400
|
6
|
1.0
|
9
|
TO-220
|
SiHF6N40D
|
400
|
6
|
1.0
|
9
|
TO-220F
|
SiHP10N40D
|
400
|
10
|
0.55
|
15
|
TO-220
|
SiHF10N40D
|
400
|
10
|
0.55
|
15
|
TO-220F
|
SiHG25N40D
|
400
|
25
|
0.17
|
44
|
TO-247
|
SiHP25N40D
|
400
|
25
|
0.17
|
44
|
TO-220
|
SiHU3N50D
|
500
|
3
|
3.0
|
6
|
IPAK/TO-251
|
SiHD3N50D
|
500
|
3
|
3.0
|
6
|
DPAK/TO-252
|
SiHD5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
DPAK/TO-252
|
SiHP5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
TO-220
|
SiHF5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
T-Max®
|
SiHU5N50D
|
500
|
5
|
1.5
|
10
|
IPAK/TO-251
|
SiHP8N50D
|
500
|
8
|
0.85
|
15
|
TO-220
|
SiHF8N50D
|
500
|
8
|
0.85
|
15
|
TO-220F
|
SiHP14N50D*
|
500
|
14
|
0.40
|
30
|
TO-220
|
SiHG14N50D*
|
500
|
14
|
0.40
|
30
|
TO-247AC
|
SiHF18N50D*
|
500
|
18
|
0.27
|
37
|
TO-220F
|
SiHG460B/IRFP460B
|
500
|
20
|
0.25
|
85
|
TO-247AC
|
SiHG22N50D*
|
500
|
22
|
0.23
|
52
|
TO-247AC
|
SiHG32N50D*
|
500
|
32
|
0.16
|
72
|
TO-247AC
|
SiHS36N50D*
|
500
|
36
|
0.13
|
92
|
Super TO-247
|
SiHP17N60D
|
600
|
17
|
0.34
|
45
|
TO-220
|
SiHG17N60D
|
600
|
17
|
0.34
|
45
|
TO-247AC
|
*目標標準，產品即將面世
新的D系列MOSFET現可提供樣品，將在2012年3季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。 |
