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改善便攜式設備電池充電和負載開關的 20V單 P 通道 MOSFET(飛兆)

發布時間:2012-8-9 10:58    發布者:eechina
關鍵詞: PowerTrench , MOSFET
幫助蜂窩手機及其他便攜式應用設計人員改善電池充電和負載開關,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 經擴大了其  P 通道 PowerTrench MOSFET 產品線 。

FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具備 MicroFET MOSFET 包裝,并按照它們的物理尺寸(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm) 提供卓越熱性能,讓它們完全匹配開關和線性模式應用。  在 20V 的額定電壓下,設備提供低通路電阻。 為預防靜電放電 (ESD) 失敗,FDMA910PZ 和 FDME910PZT  裝有優化穩壓二極管保護設備,這也將使最大額定 IGSS 泄漏從 10μA 降至 1μA。



獲取詳情,訂購樣品,請訪問:
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA910PZ.html
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME910PZT.html

特色及優勢:

FDMA910PZ
•        最大 RDS = 20 mΩ,需 VGS = -4.5V,ID = -9.4 A
•        最大 RDS = 24 mΩ,需 VGS = -2.5V,ID = -8.6 A
•        最大 RDS = 34 mΩ,需 VGS = -1.8V,ID = -7.2 A
•        低配置-配備 HBM ESD 保護的 MicroFET 2 X 2 mm 包裝最大為 0.8 mm
級別 > 2.8kV 標準

PDME910PZT
•        最大 RDS= 24mΩ,需 VGS = -4.5 V,ID = -8A
•        最大 RDS= 31mΩ,需 VGS = -2.5 V,ID = -7A
•        最大 RDS= 45mΩ,需 VGS = -1.8 V,ID = -6A
•        低配置: 配備 HBM ESD 保護的 MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包裝最大為 0.55 mm
級別 > 2kV 標準

FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻,并且為 RoHS 兼容。 兩種設備都提供低電壓安全操作,并適用于手機和便攜式設備。

飛兆半導體是移動科技領導者,可提供大量模擬和電源 IP 系列產品,并可定制以滿足特殊設計需求。 飛兆半導體通過將領先的電路技術集成在微型高級包裝中,為便攜產品用戶提供重要的優勢,同時能夠減小設計的尺寸、成本和功耗。 飛兆半導體的便攜 IP 已用于現今大部分手機中。

價格:訂購1,000個
FDMA910PZ:每個0.36美元
FDME910PZT:每個0.33美元

供貨: 按請求提供樣品。交貨期: 收到訂單后8至12周內

產品的 PDF 格式數據表可從此網址獲取:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA910PZ.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME910PZT.pdf

飛兆半導體香港辦事處,電話:852-2722-8338;深圳辦事處,電話:0755-8246-3088;上海辦事處,電話:021-6263-7500;北京辦事處,電話:010-6408-8088 或訪問公司網站:http://www.fairchildsemi.com/cn/


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