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中等電壓MOSFET器件采用高性能硅片減低品質(zhì)因數(shù)，提高同步整流應(yīng)用的可靠性 提升功率密度和輕載效率是服務(wù)器、電信和AC-DC電源設(shè)計(jì)人員的主要考慮問(wèn)題。此外，這些開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的同步整流需要具有高性價(jià)比的電源解決方案，以便最大限度地減小線路板空間，同時(shí)提高效率和降低功耗。有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)擴(kuò)展PowerTrench MOSFET系列來(lái)幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 這些產(chǎn)品屬于中等電壓MOSFET產(chǎn)品系列成員，是結(jié)合低柵極電荷(QG)、低反向恢復(fù)電荷(Qrr)和軟反向恢復(fù)體二極管的優(yōu)化功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)。這些器件備有40V、60V和80V額定電壓型款，由于采用優(yōu)化的軟反向恢復(fù)體二極管，減少了緩沖器電路的功耗，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，可將電壓尖刺減少多達(dá)15%。 這些器件采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，從而達(dá)到較高的功率密度、較低的振鈴和更好的輕載效率。通過(guò)使用這項(xiàng)技術(shù)，新器件獲得了較低的品質(zhì)因數(shù)(QG × RDS(ON))，同時(shí)降低驅(qū)動(dòng)損耗來(lái)提高功率效率。 這一系列的首批器件包括采用Power56封裝的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B器件，以及采用TO-220 3引腳封裝的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B器件。 
特性和優(yōu)勢(shì) • 較小的封裝尺寸(Power56和TO-220 3引腳封裝)，具有最大的熱性能/系統(tǒng)尺寸比 • 較低的QG以降低柵極驅(qū)動(dòng)損耗 • 低QGD/QGS比，防止不必要的誤導(dǎo)通，提高系統(tǒng)可靠性 • 低動(dòng)態(tài)寄生電容，減少高頻應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)損耗 • 100% UIL測(cè)試 • 滿足RoHS要求 新增的PowerTrench MOSFET器件豐富了飛兆半導(dǎo)體中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrench技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足現(xiàn)今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求，在實(shí)現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。 價(jià)格：訂購(gòu)1,000個(gè) FDMS015N04B: 每個(gè)1.78美元 FDMS039N08B: 每個(gè)1.60美元 FDP020N06B: 每個(gè)4.50美元 FDP027N08B: 每個(gè)3.30美元 供貨: 按請(qǐng)求提供樣品。交貨期: 收到訂單后8至12周內(nèi) 產(chǎn)品的 PDF 格式數(shù)據(jù)表可從此網(wǎng)址獲取： http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS015N04B.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS039N08B.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP020N06B.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP027N08B.pdf 飛兆半導(dǎo)體香港辦事處電話：852-2722-8338；深圳辦事處，電話：0755-8246-3088；上海辦事處，電話：021-6263-7500；北京辦事處，電話：010-6408-8088 |
