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支持-30V至100V的電壓的SOT-23功率MOSFET（IR）

發布時間：2010-7-21 11:25    發布者：嵌入式公社
關鍵詞： 功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕載電機驅動，以及電信設備等應用。

新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應用優化了性能及價格。



新器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業界標準，所采用的材料不含鉛，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

  
器件編號
  		  
BVDSS
  		  
25°C下的最大Id
  		  
10V下的
  
典型 / 最大RDS(on)
  
(mΩ)
  		  
4.5V下的
  
典型 / 最大RDS(on)
  
(mΩ)
  		  
典型Qg
  
  IRLML9301TRPBF
  		  -30V
  		  3.6  A
  		  51  / 64
  		  82  / 103
  		  4.8  nC
  
  IRLML9303TRPBF
  		  -30V
  		  2.3  A
  		  135  / 165
  		  220  / 270
  		  2.0  nC
  
  IRLML0030TRPBF
  		  30V
  		  5.2  A
  		  22  / 27
  		  33  / 40
  		  2.6  nC
  
  IRLML2030TRPBF
  		  30V
  		  2.7  A
  		  80  / 100
  		  123  / 154
  		  1.0  nC
  
  IRLML0040TRPBF
  		  40V
  		  3.6  A
  		  44  / 56
  		  62  / 78
  		  2.6  nC
  
  IRLML0060TRPBF
  		  60V
  		  2.7  A
  		  78  / 92
  		  98  / 116
  		  2.5  nC
  
  IRLML2060TRPBF
  		  60V
  		  1.2  A
  		  356  / 460
  		  475  / 620
  		  0.4  nC
  
  IRLML0100TRPBF
  		  100V
  		  1.6  A
  		  178  / 220
  		  190  / 235
  		  2.5  nC
  

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