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爾必達(dá)今天宣布，他們已經(jīng)同美國 Spansion公司合作，開發(fā)出了全球首款電荷捕獲型（Charge-trapping）4Gb容量SLC NAND閃存。該產(chǎn)品給予Spansion的MirrorBit電荷捕獲技術(shù)，將成為全球首款面世的Charge-trapping閃存，在爾必達(dá)的廣島 工廠進(jìn)行制造。 目前市場(chǎng)上的NAND閃存皆為浮動(dòng)?xùn)艠O型，而電荷捕獲型閃存有擴(kuò)展性更強(qiáng)，存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)簡單易于升級(jí)制程等特點(diǎn)，并且讀取速度比浮動(dòng)?xùn)艠O刑閃存快一倍，寫入速度快15%。 此次研發(fā)成功的產(chǎn)品為4Gb容量SLC NAND閃存，驅(qū)動(dòng)電壓1.8V。爾必達(dá)計(jì)劃將其同自己的Mobile RAM整合，以MCP混合封裝的形式銷售給移動(dòng)設(shè)備客戶。預(yù)計(jì)今年第四季度出貨樣品，明年一季度正式開始量產(chǎn)。下一步，爾必達(dá)還將研發(fā)2Gb、1GB容量型號(hào)。 合作另一方Spansion將在明年一季度出貨電荷捕獲型4Gb NAND樣品，二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。兩家公司也都在開發(fā)3V驅(qū)動(dòng)電壓的電荷捕獲型閃存。 |
