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爾必達今天宣布，他們已經同美國 Spansion公司合作，開發出了全球首款電荷捕獲型（Charge-trapping）4Gb容量SLC NAND閃存。該產品給予Spansion的MirrorBit電荷捕獲技術，將成為全球首款面世的Charge-trapping閃存，在爾必達的廣島 工廠進行制造。 目前市場上的NAND閃存皆為浮動柵極型，而電荷捕獲型閃存有擴展性更強，存儲單元結構簡單易于升級制程等特點，并且讀取速度比浮動柵極刑閃存快一倍，寫入速度快15%。 此次研發成功的產品為4Gb容量SLC NAND閃存，驅動電壓1.8V。爾必達計劃將其同自己的Mobile RAM整合，以MCP混合封裝的形式銷售給移動設備客戶。預計今年第四季度出貨樣品，明年一季度正式開始量產。下一步，爾必達還將研發2Gb、1GB容量型號。 合作另一方Spansion將在明年一季度出貨電荷捕獲型4Gb NAND樣品，二季度實現量產。兩家公司也都在開發3V驅動電壓的電荷捕獲型閃存。 |
