臺積電北美公司副總裁馬玓日前在IEE納米技術委員會舉辦的一次會議上展示了臺積電28nm及更高級別制程方面的發展方向和主要技術難點。會上他在接受electroiq網站的高級技術編輯Debra Vogler訪談的過程中,總結了臺積電在HKMG架構之后的晶體管制作技術的主要發展方向，他并表示臺積電正在嘗試用不同的物質層淀積次序來增強HKMG柵極結構，以增強HKMG產品的穩定性。
他表示，促使臺積電選擇Gate-last工藝制作HKMG的因素主要有五個：速度，功耗，可靠性，可制造性以及可伸縮性。他表示為了兼顧這五個因素，必須采用優化的解決方案，臺積電給出的數據顯示gate-last工藝可以將器件的功耗保持在較低的水平。 從制造性方面看，使用Gate-last工藝后，所有高溫制程均可以放在HK+MG材料淀積之前制作完成，這樣便可以保證管子的門限電壓參數的穩定性。 另外，馬玓還在訪談過程中提及了臺積電在Finfet（垂直型晶體管），高遷移率溝道材料技術（III-V族技術）以及3D芯片互聯技術等HKMG之后未來的晶體管技術發展方向。有關的訪談錄音可點擊這個鏈接收聽. |
