|
晶圓代工領(lǐng)域迎來重磅技術(shù)合作——全球第四大晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）日前宣布與臺積電簽署一項技術(shù)授權(quán)協(xié)議，正式引進其650V高壓與80V中壓氮化鎵（GaN）技術(shù)。這一合作標志著臺積電在退出GaN代工業(yè)務前，通過技術(shù)授權(quán)模式完成戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，而格羅方德則借此加速布局第三代半導體核心賽道，為美國本土功率電子產(chǎn)業(yè)鏈注入關(guān)鍵技術(shù)支撐。 根據(jù)協(xié)議，臺積電將向格羅方德開放其成熟的GaN-on-Si（硅基氮化鎵）技術(shù)專利組合，涵蓋650V高壓器件設(shè)計、80V中壓功率模塊及配套制造工藝。其中，650V技術(shù)主要面向數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變器等工業(yè)級場景，而80V技術(shù)則聚焦于電動汽車車載充電器、48V輕混系統(tǒng)等汽車電子領(lǐng)域。格羅方德計劃在其佛蒙特州伯靈頓工廠部署該技術(shù)，該廠此前已通過美國CHIPS法案獲得超1.2億美元專項資金，用于GaN專用產(chǎn)線的設(shè)備改造。 此次授權(quán)的技術(shù)核心源于臺積電長達十余年的GaN研發(fā)積累。自2015年實現(xiàn)全球首次GaN-on-Si量產(chǎn)以來，臺積電已為納微半導體（Navitas）、宜普電源（EPC）等客戶提供超500萬片GaN晶圓。其650V器件采用增強型MISHEMT結(jié)構(gòu)，導通電阻較傳統(tǒng)硅器件降低80%，而80V技術(shù)通過優(yōu)化場板設(shè)計，將開關(guān)頻率提升至1MHz以上，滿足SiC器件難以覆蓋的中壓高頻需求。 戰(zhàn)略意圖：臺積電技術(shù)變現(xiàn)與格羅方德產(chǎn)能卡位 對臺積電而言，此次授權(quán)是其退出GaN代工前的關(guān)鍵技術(shù)變現(xiàn)舉措。受中國廠商價格競爭擠壓，臺積電GaN業(yè)務毛利率已從2022年的35%跌至2024年的18%，導致其于2027年全面終止GaN代工。通過授權(quán)而非直接生產(chǎn)，臺積電可規(guī)避產(chǎn)能閑置風險，同時持續(xù)收取專利使用費——據(jù)行業(yè)估算，該協(xié)議或為臺積電帶來每年超2億美元的持續(xù)性收入。 格羅方德則將此視為填補技術(shù)空白的戰(zhàn)略機遇。盡管其早在2020年便啟動GaN研發(fā)，但受限于IBM遺產(chǎn)技術(shù)路徑，其早期產(chǎn)品僅能支持48V以下應用。引進臺積電技術(shù)后，格羅方德將直接獲得覆蓋全電壓等級的解決方案，加速其“可信GaN工藝鏈”建設(shè)。美國聯(lián)邦政府對此合作表示支持，稱其符合《芯片與科學法案》中“重建本土功率半導體生態(tài)”的目標，或進一步追加資金用于技術(shù)聯(lián)合研發(fā)。 產(chǎn)業(yè)影響：重構(gòu)全球GaN代工版圖 此次合作將深刻改變第三代半導體競爭格局。隨著臺積電退出代工市場，全球650V以上GaN晶圓產(chǎn)能將出現(xiàn)缺口，而格羅方德憑借此次授權(quán)，有望在2026年前占據(jù)北美市場60%以上的份額。其佛蒙特工廠規(guī)劃產(chǎn)能達每月2萬片，相當于當前全球GaN晶圓總需求的15%。 行業(yè)分析師指出，此次合作本質(zhì)是“技術(shù)換市場”的典型案例。臺積電通過授權(quán)維持技術(shù)話語權(quán)，格羅方德則以產(chǎn)能承諾換取入場券，而美國政府則借此推動功率半導體自主可控。隨著2026年第一片授權(quán)產(chǎn)出的GaN晶圓下線，全球半導體產(chǎn)業(yè)或?qū)⑦M入“硅基退場、化合物登場”的新周期。 |
