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來源：電力電子網 近日，中車時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成，標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成，具備SiC產品的生產條件，下個月產線將正式啟動試流片。 該生產線是國內首條6英寸SiC芯片生產線，總建設投資3.5億元人民幣，獲得了國家“02”專項、國家發改委新材料專項等國家重點項目支持，是公司的重點投資項目之一。 半導體事業部SiC器件產業化建設團隊在時間緊、任務重、無成熟經驗可借鑒的情況下，得到中科院微電子所技術支持和協助，攻堅克難，通過縝密繁雜的各方協調、積極推進，安全完成46臺(套)工藝、檢測測試設備搬入、調試，以及特殊廠務系統調試等一系列高難度、高危險的任務。本月初在各方共同努力下完成了最后一項工藝能力調試。目前，該生產線廠務、動力、工藝、測試條件都已完備，具備SiC產品的生產條件，可以實現4寸及6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研發與制造。 SiC單晶材料作為新型第三代半導體材料的代表，與當前主流的第二代硅基半導體材料相比，能夠有效提高系統效率、降低能耗、減小系統裝置體積與重量、提高系統可靠性。未來，半導體SiC材料制作成的功率器件將支撐起當今節能技術的發展趨向，成為節能裝置最核心的部件。SiC生產線工藝調試按期完成，是提高我國核心功率半導體器件和搶占未來科技和產業制高點的需要，將助力公司半導體產業布局前沿技術領域，搶占市場高地。 |
