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C-V測量為人們提供了有關(guān)器件和材料特征的大量信息。 通用測試 電容-電壓（C-V）測試廣泛用于測量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管（BJT）、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管（CNT）和多種其他半導(dǎo)體器件。 這類測量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用和培訓(xùn)。大學(xué)的研究實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強(qiáng)工程師也是極其重要的，他們負(fù)責(zé)提高工藝和器件的性能。可靠性工程師利用這類測量評估材料供貨，監(jiān)測工藝參數(shù)，分析失效機(jī)制。 采用一定的方法、儀器和軟件，可以得到多種半導(dǎo)體器件和材料的參數(shù)。從評測外延生長的多晶開始，這些信息在整個(gè)生產(chǎn)鏈中都會(huì)用到，包括諸如平均摻雜濃度、摻雜分布和載流子壽命等參數(shù)。在圓片工藝中，C-V測量可用于分析柵氧厚度、柵氧電荷、游離子（雜質(zhì)）和界面阱密度。在后續(xù)的工藝步驟中也會(huì)用到這類測量，例如光刻、刻蝕、清洗、電介質(zhì)和多晶硅沉積、金屬化等。當(dāng)在圓片上完全制造出器件之后，在可靠性和基本器件測試過程中可以利用C-V測量對閾值電壓和其他一些參數(shù)進(jìn)行特征分析，對器件性能進(jìn)行建模。 下載： 
半導(dǎo)體C-V測量基礎(chǔ).pdf
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| 唉喲，不錯(cuò)哦 |
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| 謝謝 |
| 要封裝的才可以測試 |
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