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XRAM是一種新的存儲器體系結(jié)構(gòu)，旨在以具有競爭力的價(jià)格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)，顯著提高了存儲器密度，性能并簡化了用戶界面。 XM8A51216是星憶存儲科技公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節(jié)）容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片。該國產(chǎn)SRAM芯片具有如下幾個(gè)特點(diǎn)： ⚫高速。具有最高訪問速度10/12ns。 ⚫低功耗。 ⚫TTL電平兼容。 ⚫全靜態(tài)操作。不需要刷新和時(shí)鐘電路。 ⚫三態(tài)輸出。 ⚫字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。 XM8A51216功能框圖 圖中A0~18為地址線，總共19根地址線（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15為數(shù)據(jù)線，總共16根數(shù)據(jù)線。CEn是芯片使能信號，低電平有效；OEn是輸出使能信號，低電平有效；WEn是寫使能信號，低電平有效；BLEn和BHEn分別是高字節(jié)控制和低字節(jié)控制信號； XM8A51216原理圖 XM8A51216在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲器接口。代理商英尚微電子支持產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持及解決方案。 要寫入設(shè)備，請將芯片使能（CE）和寫使能（WE）輸入設(shè)為低電平。如果字節(jié)低使能（BLE）為低，則來自I/O引腳（DQ0至DQ7）的數(shù)據(jù)被寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。如果字節(jié)高使能（BHE）為低電平，則來自I/O引腳（DQ8至DQ15）的數(shù)據(jù)將寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。要從器件讀取，請將芯片使能（CE）和輸出使能（OE）設(shè)為低電平，同時(shí)將寫入使能（WE）設(shè)為高電平。如果字節(jié)低使能（BLE）為低，則地址引腳指定的存儲器位置中的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DQ0至DQ7上。如果字節(jié)高使能（BHE）為低，則來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DQ8到DQ15上。 取消選擇器件（CE），禁用輸出（OEHIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLEHIGH）或以下操作時(shí)，輸入或輸出引腳（DQ0至DQ15）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)寫操作（CE和WELOW）。突發(fā)模式引腳（MODE）定義突發(fā)序列的順序。當(dāng)置為高電平時(shí)，選擇交錯(cuò)的突發(fā)序列。當(dāng)拉低時(shí)，選擇線性突發(fā)序列。 
XM8A51216V33(8M).pdf
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