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國產(chǎn)碳化硅MOS管和模塊,助力新能源汽車

發(fā)布時間:2022-4-27 11:43    發(fā)布者:碳化硅MOS

       如果說特斯拉在2018年正式打響了碳化硅上車的“發(fā)令槍”,現(xiàn)在新能源汽車市場應該比以往任何時候都更加逼近規(guī)模化上車。
據(jù)不完全統(tǒng)計,比亞迪、吉利、現(xiàn)代、廣汽、小鵬等都發(fā)布了搭載800V高電壓平臺的車型,部分車企已經(jīng)在2022年量產(chǎn)。這場高壓快充升級革命,正在系統(tǒng)性革新上游供應鏈,其中功率器件作為重要參與部件,引發(fā)了二級市場對碳化硅等化合物半導體前所未有的追捧,2021年以來迎來多輪輪番炒作,Wind第三代半導體指數(shù)2021年全年漲幅超50%,另一方面,在新能源汽車市場,碳化硅到底能多大程度替代硅半導體市場,也同樣值得探討。


值得一提的是,高壓化的趨勢同時要求充電樁的部件性能重新適配,這也成為功率半導體重要的應用市場。一臺500KW以上的超充樁需要的功率半導體數(shù)量在500個以上,在全樁半導體中價值量占比達80%以上。目前硅基半導體應用較為普遍,雖然硅基也能滿足高電壓的性能要求,但效率和體積相比SiC仍存在差距。另一方面,國內(nèi)自主品牌和造車新勢力的崛起或?qū)楸就凉⿷處頇C會。據(jù)了解,吉利汽車、長城汽車等自主品牌甚至參投國內(nèi)第三代半導體廠商以綁定產(chǎn)能,本土化采購漸成趨勢。不過,碳化硅上車進程剛剛開始,目前局限于部分中高端車型。汽車獨立分析師張翔向表示,SiC半導體目前成本仍然偏高,且車端應用需要通過2-3年的車規(guī)認證,“一些車企現(xiàn)在拿出SiC的相關技術(shù),更多是作為一種營銷手段,并沒有真正推出量產(chǎn)車型。”另外,半導體廠商下訂單需要一定量的支撐,比如特斯拉Model 3已經(jīng)達到約40萬輛的銷量,而市面上在10萬輛以上年銷量的車型屈指可數(shù),當新能源汽車加速上量,就能反向助推碳化硅成本下降。

成本替代的轉(zhuǎn)折點需要同時考慮碳化硅器件的價格和節(jié)約的電池成本。當碳化硅模組價格下降到硅基模組的2倍左右時,系統(tǒng)性價比就會凸顯,這個時點可能發(fā)生在2025年,屆時將有大量主流車型普遍使用。


電子器件廠商角度來看,碳化硅方案的成本下降趨勢是明確的。“碳化硅在主驅(qū)的應用效果是最好的,帶來成本下降也是最顯著的”,碳化硅與硅基襯底的成本差距在逐步縮小,已經(jīng)從幾年前4倍左右下降到平均2-3倍左右。設備廠商力挺長期碳化硅、氮化鎵等生產(chǎn)成本下降的趨勢,從設備端來看,預計2023年還可以繼續(xù)下降25%左右的成本,進一步縮減碳化硅與硅基的成本差。此外,供應鏈安全也是車企愿意嘗鮮的因素之一。投資人士稱,目前車企還是更傾向于國外廠商,英飛凌等國際巨頭短時間內(nèi)難以超越,出于安全考慮可能會把一部分供應鏈放在國內(nèi),“不能把雞蛋放在同一個籃子里”,這對國內(nèi)廠商是個機會,但是也要徐徐而圖之。   
我司專注于第三代半導體碳化硅(SiC) MOS 芯片設計、功率模塊的生產(chǎn)制造及其基于 SiC 器件在新能源領域 的應用系統(tǒng)開發(fā)方案,由武岳峰資本及國內(nèi)多家知名投資機構(gòu)投資數(shù) 億元,中國科學院及清華大學博士領軍,數(shù)十位半導體行業(yè)資深人士 共同組建的高科技技術(shù)創(chuàng)新性企業(yè)。公司擁有全自主知識產(chǎn)權(quán),已申請 25 項專利技術(shù),采用 6 英寸技 術(shù)已量產(chǎn) 20 余款 650V~3300V 全系列 SiC MOSFET 產(chǎn)品,并建立起 車規(guī)級的 SiC MOS 模塊工廠,可為客戶提供整套應用解決方案。產(chǎn)品 已大量出口歐洲和美國客戶。
    產(chǎn)品已通過IATF16949和ISO9001質(zhì)量體系雙重認證。產(chǎn)品已得到:美國通用 ,廈門金龍, 吉利,長安,BYD等車企的認可和支持,國產(chǎn)碳化硅MOSFET和模塊的國產(chǎn)化,邁向新的征程。
碳化硅產(chǎn)品手冊.pdf (894.83 KB)





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碳化硅MOS 發(fā)表于 2022-9-30 10:17:23

采用SiC技術(shù),車載雙向OBC體積可減小20%以上,節(jié)省了電動汽車空間\重量,除了能夠降低系統(tǒng)成本,整車系統(tǒng)也更容易實現(xiàn)多合一小型集成化。同時,碳化硅方案比普通雙向OBC效率高2%-3%。

  車載充電機一般為兩級電路,前級為圖騰柱無橋PFC(Power Factor Correction)級,后級為DC/DC級。

● 單相一般采用BOOST結(jié)構(gòu),建議使用650V 、1200V--30A、60A等規(guī)格, TO247封裝

● 三相一般采用VIENNA結(jié)構(gòu),建議使用1200V--30A、60A、100A等規(guī)格, TO247封裝

● LLC中,如果OBC最高輸出電壓<550V,建議使用650V--30A、60A等規(guī)格, TO247封裝

如果最高輸出電壓>550V,建議使用1200V--30A、60A等規(guī)格,TO247封裝。


碳化硅產(chǎn)品資料-2022-9.pdf (859.81 KB)

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