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公司內部以及合作開發的七款設計工具可以為45W至140W的 適配器帶來高性能650V氮化鎵FET的優勢 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布推出七款參考設計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，覆蓋多種拓撲結構、輸出和功率（45W至140W）。 
SuperGaN技術的差異化優勢 電源適配器參考設計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢，這些特點已經成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵器件 相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下擁有更高的性能。 點擊這里查閱當前提供的電源適配器參考設計組合。 |
