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英飛凌1200V碳化硅AIMBG120R080M1、AIMBG120R040M1專為滿足汽車行業(yè)的高要求而設計。 概述：1200V碳化硅汽車MOSFET系列已開發(fā)用于當前和未來混合動力和電動汽車的車載充電器和DC-DC應用。 基于最先進的英飛凌SiC溝槽技術(shù)結(jié)合. xt互連技術(shù)，碳化硅MOSFET專為滿足汽車行業(yè)在可靠性、質(zhì)量和性能方面的高要求而設計。 1200V 開關(guān)中最低的門電荷和器件電容水平，內(nèi)部換向證明體二極管無反向恢復損耗，溫度無關(guān)的低開關(guān)損耗和無閾值導通特性保證了無擾設計和易于控制的應用設計。 緊湊型SMD外殼D2PAK (PG-TO263-7)實現(xiàn)了客戶制造工廠的高度自動化，并進一步降低了系統(tǒng)層面的成本。 產(chǎn)品優(yōu)勢 效率改善 啟用更高頻率 增加功率密度 減少冷卻工作量 降低系統(tǒng)復雜度和成本 應用 車載充電器 DC-DC轉(zhuǎn)換器 規(guī)格參數(shù) 1、型號：AIMBG120R080M1（AIMBG120R080M1XTMA1） 電壓：1200 V 電流：27 A 工作溫度：-55 °C ~ 175 °C 封裝：PG-TO263-7 2、型號：AIMBG120R040M1（AIMBG120R040M1XTMA1） 電壓：1200 V 電流：48 A 工作溫度：-55 °C ~ 175 °C 封裝：PG-TO263-7 
（回收/供應）AIMBG120R080M1、AIMBG120R040M1 1200V碳化硅汽車MOSFET 深圳市明佳達電子有限公司/深圳市星際金華實業(yè)有限公司 （注：本文部分內(nèi)容與圖片來源于網(wǎng)絡，版權(quán)歸原作者所有。如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除！） |
