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英飛凌1200V碳化硅AIMBG120R080M1、AIMBG120R040M1專為滿足汽車行業的高要求而設計。 概述：1200V碳化硅汽車MOSFET系列已開發用于當前和未來混合動力和電動汽車的車載充電器和DC-DC應用。 基于最先進的英飛凌SiC溝槽技術結合. xt互連技術，碳化硅MOSFET專為滿足汽車行業在可靠性、質量和性能方面的高要求而設計。 1200V 開關中最低的門電荷和器件電容水平，內部換向證明體二極管無反向恢復損耗，溫度無關的低開關損耗和無閾值導通特性保證了無擾設計和易于控制的應用設計。 緊湊型SMD外殼D2PAK (PG-TO263-7)實現了客戶制造工廠的高度自動化，并進一步降低了系統層面的成本。 產品優勢 效率改善 啟用更高頻率 增加功率密度 減少冷卻工作量 降低系統復雜度和成本 應用 車載充電器 DC-DC轉換器 規格參數 1、型號：AIMBG120R080M1（AIMBG120R080M1XTMA1） 電壓：1200 V 電流：27 A 工作溫度：-55 °C ~ 175 °C 封裝：PG-TO263-7 2、型號：AIMBG120R040M1（AIMBG120R040M1XTMA1） 電壓：1200 V 電流：48 A 工作溫度：-55 °C ~ 175 °C 封裝：PG-TO263-7 
（回收/供應）AIMBG120R080M1、AIMBG120R040M1 1200V碳化硅汽車MOSFET 深圳市明佳達電子有限公司/深圳市星際金華實業有限公司 （注：本文部分內容與圖片來源于網絡，版權歸原作者所有。如有侵權，請聯系刪除！） |
