DCS12模塊特點
1. 采用單面水冷+模封工藝，最高工作結溫175℃；
2. 功率密度高，適用高溫、高頻應用，超低損耗；
3. 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成。

集成NTC溫度傳感器，易于系統集成

采用單面水冷+模封工藝，最高工作結溫175℃；

碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業，覆蓋工業、能源和汽車等眾多領域。

DCS12模塊 很好，電控用的多

碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國產https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr

DCS12模塊和丹弗斯 PTOp

液冷的 塑膠模塊，電控的好搭檔

液冷的 塑膠模塊

全碳SIC模塊 大全

實現更高的功率密度，可靠性和效率。

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碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 - http://m.4huy16.com/thread-841262-1-1.html

全碳SIC模塊

DCS12模塊特點1.采用單面水冷+模封工藝，最高工作結溫175℃；
2. 功率密度高，適用高溫、高頻應用，超低損耗；
3. 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成。

SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動以及SiC柵極驅動器示例 - 模擬電子技術 - 電子工程網  http://m.4huy16.com/thread-838162-1-1.html