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來源：全球半導(dǎo)體觀察整理 8月3日，意法半導(dǎo)體官微宣布，公司最近已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計的增強(qiáng)模式PowerGaN HEMT（高電子遷移率晶體管）器件。 據(jù)介紹，STPOWER™ GaN晶體管是基于氮化鎵(GaN)的高效晶體管，提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應(yīng)用的性能。 該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關(guān)G-HEMT™晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。據(jù)悉，SGT120R65AL和SGT65R65AL現(xiàn)已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封裝。 意法半導(dǎo)體的G-HEMT器件將加速功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)向GaN寬帶隙技術(shù)過渡。意法半導(dǎo)體表示，未來，GaN還有望實現(xiàn)新的功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提高能效，并降低功耗。 此外，接下來幾個月內(nèi)，意法半導(dǎo)體還將推出新款PowerGaN產(chǎn)品，即車規(guī)器件，以及更多的功率封裝形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝。 |
