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臺(tái)積電今明兩年將接收60臺(tái)以上EUV光刻機(jī), 投入超過(guò)123億美元

發(fā)布時(shí)間:2024-7-1 10:09    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 , EUV , 光刻機(jī)
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按照臺(tái)積電(TSMC)的安排,將在2nm制程節(jié)點(diǎn)將首度使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶體管,同時(shí)制造過(guò)程仍依賴于極紫外(EUV)光刻技術(shù),計(jì)劃2025年進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段,客戶在2026年就能收到首批采用N2工藝制造的芯片。

據(jù)Trendforce報(bào)道,有報(bào)告顯示,臺(tái)積電正在積極安裝對(duì)于先進(jìn)工藝至關(guān)重要的EUV光刻機(jī),以應(yīng)付2nm工藝的量產(chǎn),今年和明年將接收超過(guò)60臺(tái)EUV光刻機(jī),投入的資金額超過(guò)4000億新臺(tái)幣(約合123億美元/人民幣894億元)。

隨著ASML不斷擴(kuò)大產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2025年EUV光刻機(jī)的交付量將增長(zhǎng)30%以上,臺(tái)積電也會(huì)因此受益。去年ASML為了響應(yīng)客戶的需求計(jì)劃增產(chǎn),明年的EUV光刻機(jī)交付量會(huì)有明顯增長(zhǎng),預(yù)計(jì)今年為53臺(tái),明年增至72臺(tái)以上。據(jù)了解,ASML在2025年的目標(biāo)產(chǎn)能為90臺(tái)EUV光刻機(jī)、600臺(tái)DUV光刻機(jī)、以及20臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。

EUV光刻機(jī)的供應(yīng)一直很緊張,交貨時(shí)間在16至20個(gè)月之間,2024年的訂單大部分要到2025年才能交付。傳聞臺(tái)積電2024年訂購(gòu)了30臺(tái)EUV光刻機(jī),2025年為35臺(tái)。不過(guò)由于臺(tái)積電可能會(huì)對(duì)資本支出計(jì)劃進(jìn)行調(diào)整,這些數(shù)字最終會(huì)略有變化。此外,臺(tái)積電有望在今年某個(gè)時(shí)候接受到最新的High-NA EUV光刻機(jī)。
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