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10月29日，英飛凌（Infineon）宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圓。這款晶圓的直徑為30mm，厚度僅為20微米，相當于人類頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進的40-60微米晶圓厚度的一半。這一技術突破不僅彰顯了英飛凌在半導體領域的卓越實力，更為全球半導體技術的發(fā)展開啟了新的篇章。 英飛凌此次推出的全球最薄硅功率晶圓，采用了業(yè)界領先的加工技術，通過降低晶圓厚度，將基板電阻減半，進而將功率損耗減少了15%以上。這一技術突破不僅提升了晶圓的性能，還為功率器件的集成和設計提供了更多可能性。據(jù)英飛凌官方介紹，這款晶圓已被應用于其集成智能功率級（如直流-直流轉換器）中，并成功交付給首批客戶，展現(xiàn)出了廣闊的市場前景。 此外，英飛凌的新型晶圓在電動汽車、智能家居設備以及綠色能源項目中也具有重要潛力。隨著全球對可持續(xù)發(fā)展和節(jié)能減排的需求不斷增加，英飛凌的這款最薄硅功率晶圓將成為推動這一轉變的重要力量。其超薄設計和高效能的特性，預示著未來半導體行業(yè)將向著更高的技術標準和更靈活的設計方向邁進。 英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁在發(fā)布會上表示：“這款全球最薄的硅晶圓展現(xiàn)了我們致力于通過推動功率半導體技術的發(fā)展，為客戶創(chuàng)造非凡的價值。英飛凌在超薄晶圓技術方面的突破標志著我們在節(jié)能功率解決方案領域邁出了重要一步，并且有助于我們充分發(fā)揮全球低碳化和數(shù)字化趨勢的潛力。” |
