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當地時間7月1日，氮化鎵（GaN）功率半導體領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）宣布與臺灣晶圓代工大廠力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）達成戰略合作，正式啟動業內領先的8英寸（200mm）硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）技術量產計劃。此次合作旨在強化供應鏈韌性、推動技術創新并優化成本效益，以滿足AI數據中心、電動汽車（EV）、太陽能及消費電子市場對高效能功率半導體的快速增長需求。 納微半導體將利用力積電位于臺灣新竹竹南科學園區的8B廠200毫米產線進行生產。該工廠自2019年投入運營以來，已具備成熟的氮化鎵制造能力，涵蓋從微型LED到射頻GaN器件的多樣化應用。力積電先進的180nm CMOS工藝將助力納微進一步提升器件性能，實現更高功率密度、更快開關速度及更優能效表現，同時優化制造成本與良率。 根據規劃，力積電將為納微生產100V至650V的氮化鎵功率芯片，重點支持48V基礎設施應用，包括超大規模AI數據中心和電動汽車動力系統。首批100V器件預計于2025年第四季度完成認證，2026年上半年進入量產階段；而650V產品線將在未來12至24個月內逐步從臺積電（TSMC）轉移至力積電生產。 納微半導體近期在多個關鍵市場取得突破，包括與NVIDIA合作開發800V高壓直流（HVDC）架構，支持1兆瓦以上AI數據中心電源系統；全球太陽能巨頭Enphase亦宣布采用其650V雙向GaNFast芯片用于下一代IQ9產品。此外，納微的高功率GaNSafe技術已進入商用電動汽車車載充電器（OBC）領域，首款合作車型來自長安汽車。 納微首席執行官Gene Sheridan表示，此次合作標志著公司在供應鏈多元化和技術升級上的重要進展，未來將持續深化與力積電的協作，推動氮化鎵技術在性能與成本效率上的突破。力積電高層則強調，雙方多年技術磨合已接近量產階段，將全力支持納微拓展全球GaN市場。 此次8英寸硅基氮化鎵的量產，不僅將提升納微的產能規模，更可能重塑功率半導體行業格局，加速氮化鎵技術在高效能源轉換領域的普及。 |
