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此次合作拓展了安森美功率產品組合，涵蓋面向AI數據中心、汽車、航空航天及其他關鍵市場的高性能650V橫向氮化鎵（GaN）解決方案 安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）宣布，已與格羅方德（GlobalFoundries，納斯達克代碼：GFS，簡稱GF）簽署合作協議。雙方將基于格羅方德最先進的200毫米增強型硅基GaN工藝，共同研發并制造先進GaN功率產品，合作將從650V器件開始。此次合作將加速安森美高性能GaN器件及集成功率級的技術路線圖，通過擴充高壓產品組合，滿足AI數據中心、電動汽車、可再生能源、工業系統以及航空航天等領域日益增長的功率需求。 
“此次合作將安森美的系統及產品專業積淀，與格羅方德先進的GaN工藝相結合，為高增長市場打造全新650V功率器件。這些GaN產品搭配我們的硅基驅動器和控制器，將助力客戶實現創新，為AI數據中心、電動汽車、航天應用等場景構建更小、更高能效的功率系統。我們計劃于2026年上半年開始向客戶提供樣品，并快速擴大至量產規模。”安森美企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示。 “我們將200毫米硅基GaN平臺與安森美深厚的系統和產品專業積淀相結合，不僅加速了高效解決方案的落地，更為數據中心、汽車、工業、航空航天等關鍵市場構建了更具韌性的供應鏈。以安森美為關鍵合作伙伴，我們將持續推動GaN半導體技術升級，滿足人工智能、電氣化和可持續能源領域不斷演變的需求。”格羅方德首席商務官Mike Hogan說。 安森美將其行業領先的硅基驅動器、控制器和強化散熱封裝技術，與格羅方德的650V GaN技術平臺相結合，打造出更高功率密度和能效的GaN器件。產品應用場景具體包括：AI數據中心電源及其DC-DC轉換器、電動汽車車載充電機及其DC-DC轉換器、微型光伏逆變器和儲能系統，以及工業與航空航天領域的電機驅動器和DC-DC轉換器等。 此次合作進一步擴充了安森美領先的功率半導體產品組合，如今已涵蓋了全譜系GaN技術——從低壓、中壓、高壓橫向GaN，到超高壓垂直GaN。這一全面布局讓系統設計人員能夠構建下一代電源架構，在更小的尺寸內實現更高的功率輸出。GaN技術的核心優勢包括： 更高開關頻率——通過更高的開關頻率運行，GaN技術能幫助設計人員減少元器件數量、縮小系統尺寸并降低成本，同時提升能效和散熱性能。 雙向導通能力——GaN的雙向導通特性支持全新拓撲結構，可替代多達四個傳統單向晶體管，從而降低成本并簡化設計。 集成化功能——在單個封裝內集成GaN FET與驅動器、控制器、隔離和保護功能，可縮短設計周期并降低電磁干擾。強化散熱封裝和優化的柵極驅動器，即使在高開關速度下也能保障性能和可靠性。 供貨情況 安森美計劃于2026年上半年開始提供樣品。 |
