TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管，可使放大器尺寸減小50%

發(fā)布時(shí)間：2012-12-18 10:03 發(fā)布者：eechina

關(guān)鍵詞： GaN , HEMT , 射頻 , 功率晶體管

TriQuint半導(dǎo)體公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時(shí)改進(jìn)效率和增益。這些新的氮化鎵晶體管可在直流至6 GHz寬廣的工作頻率上提供30-37W (CW) 射頻輸出功率。它們是商業(yè)通信和測(cè)試設(shè)備系統(tǒng)等類(lèi)似的寬帶系統(tǒng)應(yīng)用的理想選擇。

TriQuint新的氮化鎵功率晶體管包括28V的T1G6003028-FS，其工作頻率為直流至6 GHz，提供30W的輸出功率，在3.5 GHz和6 GHz頻率時(shí)的效率分別為55%和44%。T1G6003028-FL提供相同的性能，并且采用法蘭封裝來(lái)滿足不同封裝的要求。TriQuint新的32V的T1G4003532-FS和法蘭封裝的T1G4003532-FL是用于S波段及類(lèi)似應(yīng)用的理想選擇。它們?cè)谥绷髦?.5 GHz工作頻率下提供37W (CW) 輸出功率。上述兩種32V器件均在3.5 GHz和6 GHz分別提供大于16dB和10dB的增益；其附加功率效率(PAE) 在5GHz和6GHz分別為60%和49.6%。

所有四款新的氮化鎵晶體管均可承受高達(dá)10:1的駐波比(VSWR) 失配而不損害功能，同時(shí)為在高漏偏壓條件下工作而優(yōu)化，從而降低系統(tǒng)成本和散熱管理成本。所有器件均可出口至大多數(shù)國(guó)家；詳情請(qǐng)與TriQuint聯(lián)系。

技術(shù)規(guī)格 – 新的TriQuint 氮化鎵晶體管：

T1G6003028-FS	直流至6 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W；在3.5 GHz時(shí), 增益為14dB；在6 GHz時(shí)，增益為10dB；漏極效率：在3.5 GHz時(shí)為55%, 在6 GHz時(shí)為44%；28V在200 mA，承受10:1 駐波比，EAR99無(wú)法蘭封裝。
T1G6003028-FL	直流至6 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W；在3.5 GHz時(shí), 增益為14dB；在6 GHz時(shí)，增益為10dB；漏極效率：在3.5 GHz時(shí)為55%, 在6 GHz時(shí)為44%；28V在200 mA，承受10:1 駐波比，EAR99法蘭封裝。
T1G4003532-FS	直流至3.5 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W CW；在3.5 GHz時(shí), 增益超過(guò)16dB；在6 GHz時(shí)，增益為10dB；附加功率效率：在5 GHz時(shí)為60%, 在6 GHz時(shí)為49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 駐波比，EAR99無(wú)法蘭封裝。
T1G4003532-FL	直流至3.5 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：37W CW；在3.5 GHz時(shí), 增益超過(guò)16dB；在6 GHz時(shí)，增益為10dB；附加功率效率：在5 GHz時(shí)為60%, 在6 GHz時(shí)為49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 駐波比，EAR99無(wú)法蘭封裝。

如需樣品和評(píng)估板請(qǐng)聯(lián)系產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)部。訪問(wèn)TriQuint網(wǎng)站來(lái)接洽所在地區(qū)的銷(xiāo)售代表。

本文地址：http://m.4huy16.com/thread-103121-1-1.html 【打印本頁(yè)】

本站部分文章為轉(zhuǎn)載或網(wǎng)友發(fā)布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)；文章版權(quán)歸原作者及原出處所有，如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題，我們將根據(jù)著作權(quán)人的要求，第一時(shí)間更正或刪除。