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格芯推出業界首個300mm 硅鍺晶圓工藝技術,以滿足數據中心和高速無線應用需求

發布時間:2018-11-30 13:10    發布者:eechina
關鍵詞: 硅鍺 , SiGe , 格芯
業界最先進的高速硅鍺技術目前可用于TB通信和汽車雷達應用的300mm生產線

格芯今天宣布其先進的硅鍺(SiGe)產品9HP目前可用于其300mm晶圓制造平臺的原型設計。這表明300mm生產線將形成規模優勢,進而促進數據中心和高速有線/無線應用的強勁增長。借助格芯的300mm專業生產技術,客戶可以充分提高光纖網絡、5G毫米波無線通信和汽車雷達等高速應用產品的生產效率和再現性能。

格芯是高性能硅鍺解決方案的行業領導者,在佛蒙特州伯靈頓工廠用200mm生產線進行生產。將9Hp(一種90nm 硅鍺工藝)遷移至紐約州東菲什基爾的格芯Fab 10工廠實現300mm晶圓生產技術,將會保持這一行業領先地位,并奠定300mm晶圓工藝基礎,有助于進一步發展產品線,確保工藝性能持續增強和微縮。

“高帶寬通信系統日益復雜,性能需求也隨之水漲船高,這些都需要更高性能的芯片解決方案,”格芯的RF業務部副總裁 Christine Dunbar表示。“格芯的9HP旨在提供出色的性能,其300mm生產工藝將能夠滿足客戶的高速有線和無線組件需求,助力未來的數據通信發展。”

格芯的9HP延續了成熟的高性能硅鍺BiCMOS技術的優勢,支持微波和毫米波頻率應用高數據速率的大幅增長,適用于下一代無線網絡和通信基礎設施,如 TB級光纖網絡、5G毫米波和衛星通信(SATCOM)以及儀器儀表和防御系統。該技術提供出色的低電流/高頻率性能,改善了異質結雙極晶體管(HBT)性能,與之前的硅鍺 8XP和8HP相比,最大振蕩頻率(Fmax)提高了35%,達到370GHz。

在紐約東菲什基爾的Fab 10工廠,正在進行基于多項目晶圓(MPW)的9HP 300mm工藝客戶原型設計,預計2019年第二季度將提供合格的工藝和設計套件。

如需了解更多有關格芯硅鍺解決方案的信息,請聯系您的格芯銷售代表或訪問globalfoundries.com/cn。
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