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臺(tái)積電代工 賽靈思宣布開(kāi)始交付28nm HPL制程FPGA芯片初期樣品

發(fā)布時(shí)間:2011-3-21 22:55    發(fā)布者:1770309616
賽靈思公司宣布其28nm制程7系列FPGA芯片開(kāi)始交付初期樣品芯片,這款芯片使用的是臺(tái)積電公司的28nm HPL制程,目前首批已經(jīng)開(kāi)始交付樣品芯片的型號(hào)為Kintex-7 K325T。賽靈思公司還表示,其所有基于28nm制程的7系列FPGA芯片均將采用與Kintex-7 FPGA系列家族產(chǎn)品一樣的內(nèi)部架構(gòu),因此其客戶現(xiàn)在便可以開(kāi)始對(duì)基于 Artix-7/Virtex-7等未來(lái)型號(hào)FPGA的產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)。

除了已經(jīng)在發(fā)送初期樣品芯片的Kintex-7 K325T FPGA型號(hào)之外,賽靈思Virtex-7 485T FPGA以及2000T邏輯芯片產(chǎn)品也將分別于今年8月份和11月份開(kāi)始交付初期樣品,而Artix-7 FPGA芯片的初期樣品則定于明年第一季度交付。

資料回顧:

根據(jù)臺(tái)積電09年公布的28nm制程發(fā)展路線圖顯示,他們將在28nm節(jié)點(diǎn)尺寸上開(kāi)發(fā)出三種不同的制程工藝。這三種制程工藝分別是:

1-“低功耗氮氧化硅電介質(zhì)工藝”(代號(hào)28LP);
2-"High-K+金屬門高性能工藝“(代號(hào)28HP);
3-”低功耗型High-K+金屬門工藝“(代號(hào)28HPL)。

其中28LP工藝的特征是柵極仍采用傳統(tǒng)的氮氧化硅(SiON)電介質(zhì)+多晶硅柵極進(jìn)行制造,制造成本較低,實(shí)現(xiàn)較為簡(jiǎn)單,主要用于手機(jī)和各種移動(dòng)應(yīng)用,高通最近推出的28nm制程產(chǎn)品采用的便可能是臺(tái)積電的28nm LP制程。

而后兩種工藝28HP和28HPL則在柵極部分采用了High-K電介質(zhì)+金屬柵極的結(jié)構(gòu)。另外,臺(tái)積電28HP/28HPL工藝中采用的是Gate-last工藝技術(shù)。
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