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來源：IT之家 據(jù) Tom's Hardware 報道，在本月舉行的 IEDM 2023 會議上，臺積電制定了提供包含 1 萬億個晶體管的芯片封裝路線，這一計劃與英特爾去年透露的規(guī)劃類似。 當然，1 萬億晶體管是來自單個芯片封裝上的 3D 封裝小芯片集合，但臺積電也在致力于開發(fā)單個芯片 2000 億晶體管。 為了實現(xiàn)這一目標，該公司重申正在致力于 2nm 級 N2 和 N2P 生產(chǎn)節(jié)點，以及 1.4nm 級 A14 和 1nm 級 A10 制造工藝，預計將于 2030 年完成。 
▲ 圖源 Tom's Hardware 獲取到的臺積電 PPT 此外，臺積電預計封裝技術（CoWoS、InFO、SoIC 等）將不斷取得進步，使其能夠在 2030 年左右構(gòu)建封裝超過 1 萬億個晶體管的大規(guī)模多芯片解決方案。 據(jù)IT之家此前報道，臺積電在會議上還透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025 年開始量產(chǎn)。 |
