|
來源：中國科技網 11月9日，英諾賽科(珠海)科技有限公司自主研發的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線在珠海正式通線投產。 氮化鎵又被稱作第三代半導體，是當今世界上最具潛力的半導體材料之一，并被預言將會在不久的未來改變世界。硅基氮化鎵產業早在20年前就開始在歐洲和美國等地發展，如今在產品和技術方面已經取得了重大進展。然后，在中國該產業才剛起步，中國在這一產品領域尚屬空白。 英諾賽科（珠海）科技有限公司擁有世界領先的8英寸硅基氮化鎵外延技術，突破了低翹曲度、低缺陷及位錯密度、低漏電晶圓制造的全球性挑戰，將碎片率大幅降至1%以下領先水平。經過兩年的努力，該公司已建成中國首條完整8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產生產線，主要產品包括100V-650V氮化鎵功率器件，設計及性能均達到國際最先進水平，將廣泛應用于電力電子、新能源、電動汽車、信息與通信和智能工業等領域。 “建設一個自主可控、安全的生產體系，這是半導體行業、信息產業的責任。企業只有建立起自己的研發體系、人才體系，這樣才能不斷進步，不斷領先。”中國半導體行業協會執行副理事長兼秘書長徐小田當天在現場表示，作為半導體行業協會，政策上將著重在科研體系的建立、人才培養等方面給予關注，與所有企業一起改善環境，參與國際競爭、國際交流，推動產業發展。 當天，多名業內專家在隨后舉行的研討會上談到，氮化鎵產業已經到了爆發前夜，在8英寸硅基氮化鎵晶圓產業化上取得重大突破，為今后該領域的發展奠定了良好基礎，必將為中國在半導體領域實現“換道超車”作出重要貢獻。 |
